[發明專利]一種帶工藝和溫度補償的壓控振蕩器偏置電路在審
| 申請號: | 201710547869.1 | 申請日: | 2017-07-06 |
| 公開(公告)號: | CN107332558A | 公開(公告)日: | 2017-11-07 |
| 發明(設計)人: | 段志奎;于昕梅;王興波;譚海曙;朱珍;陳建文;樊耘;王東 | 申請(專利權)人: | 佛山科學技術學院 |
| 主分類號: | H03L7/081 | 分類號: | H03L7/081;H03L7/099;H03L1/00 |
| 代理公司: | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司44205 | 代理人: | 王國標 |
| 地址: | 528000 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 工藝 溫度 補償 壓控振蕩器 偏置 電路 | ||
1.一種帶工藝和溫度補償的壓控振蕩器偏置電路,包括由MOS管組成的延遲環,其特征在于:還包括溫度補償偏置電路以及工藝補償偏置電路,所述工藝補償偏置電路輸入端輸入控制電壓,所述溫度補償偏置電路輸出端以及工藝補償偏置電路輸出端均與延遲環輸入端相連,所述工藝補償偏置電路以及溫度補償偏置電路共同維持延遲環輸入端電流恒定。
2.根據權利要求1所述的一種帶工藝和溫度補償的壓控振蕩器偏置電路,其特征在于:所述工藝補償偏置電路包括第一理想電流源,所述工藝補償偏置電路被配置為第一理想電流源電流與輸入端控制電壓所產生的輸入電流的差跟輸出到延遲環電流值成正相關。
3.根據權利要求2所述的一種帶工藝和溫度補償的壓控振蕩器偏置電路,其特征在于:所述工藝補償偏置電路包括MOS管N1、第一鏡像電流模塊、第二鏡像電流模塊以及第三鏡像電流模塊,所述MOS管N1柵極輸入控制電壓,所述MOS管N1源極或漏極與第一鏡像電流模塊輸入端相連,所述第一理想電流源與第二鏡像電流模塊輸入端相連,所述第二鏡像電流模塊輸出端以及第一鏡像電流模塊輸出端均與第三鏡像電流模塊輸入端相連,所述第三鏡像電流模塊輸出端與延遲環輸入端相連。
4.根據權利要求1所述的一種帶工藝和溫度補償的壓控振蕩器偏置電路,其特征在于:所述溫度補償偏置電路輸入端輸入偏置電壓,所述溫度補償偏置電路包括第二理想電流源,所述溫度補償偏置電路被配置為第二理想電流源電流與輸入端偏置電壓所產生的輸入電流的差跟輸出到延遲環電流值成正相關。
5.根據權利要求4所述的一種帶工藝和溫度補償的壓控振蕩器偏置電路,其特征在于:所述溫度補償偏置電路包括運算放大器、MOS管N2、第四鏡像電流模塊、第五鏡像電流模塊以及第六鏡像電流模塊,所述運算放大器同相輸入端輸入偏置電壓,所述運算放大器輸出端與MOS管N2柵極相連,所述運算放大器反相輸入端以及MOS管N2管源極或漏極均與第四鏡像電流模塊輸入端相連,所述第二理想電流源與第五鏡像電流模塊輸入端相連,所述第四鏡像電流模塊輸出端以及第五鏡像電流模塊輸出端均與第六鏡像電流模塊輸入端相連,所述第六鏡像電流模塊輸出端與延遲環輸入端相連。
6.根據權利要求1至5任一項所述的一種帶工藝和溫度補償的壓控振蕩器偏置電路,其特征在于:所述延遲環包括多級由MOS管組成的反相器,所述反相器的級數為奇數,前一級反相器的輸出端與后一級反相器的輸入端相連,首端反相器輸入端與末端反相器輸入端相連,所述反相器的電源端作為延遲環輸入端,所述反相器接地端接地。
7.根據權利要求6所述的一種帶工藝和溫度補償的壓控振蕩器偏置電路,其特征在于:所述反相器包括一個N型MOS管和一個P型MOS管,所述P型MOS管柵極與N型MOS管柵極相連且作為反相器輸入端,所述P型MOS管漏極與N型MOS管漏極相連且作為反相器輸出端,所述N型MOS管源極作為反相器接地端接地,所述P型MOS管源極作為反相器的電源端也作為延遲環輸入端。
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