[發(fā)明專利]寬工作溫區(qū)高介電性能的無(wú)鉛電子陶瓷材料及制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710547143.8
• 申請(qǐng)日: 2017-07-06
• 公開（公告）號(hào): CN107311643B
• 公開（公告）日: 2019-12-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳勇;張燦燦;鄒建雄;王瑋;曹萬(wàn)強(qiáng);潘瑞琨;李璋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 湖北大學(xué)
• 主分類號(hào): H01G4/12
• 分類號(hào): H01G4/12;H01B3/12;C04B35/453;C04B35/622
• 代理公司: 11228 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 胡建文<國(guó)際申請(qǐng)>=<國(guó)際公布>=<進(jìn)入

1.一種寬工作溫區(qū)高介電性能的無(wú)鉛電子陶瓷材料，其特征在于：化學(xué)通式為Na_0.5Bi_4.5Ti_4-xMg_yO_15-2x+y，其中x=0～0.08，y=0.04～0.08。

2.如權(quán)利要求1所述的寬工作溫區(qū)高介電性能的無(wú)鉛電子陶瓷材料，其特征在于：所述無(wú)鉛電子陶瓷材料化學(xué)通式中：x=0，y=0.04～0.08。

3.如權(quán)利要求1所述的寬工作溫區(qū)高介電性能的無(wú)鉛電子陶瓷材料，其特征在于：所述無(wú)鉛電子陶瓷材料化學(xué)通式中：y=x，y=0.04～0.08。

4.如權(quán)利要求1所述的寬工作溫區(qū)高介電性能的無(wú)鉛電子陶瓷材料，其特征在于：介電常數(shù)為1538.75～2324.03，最小介電損耗為0.00203259～0.00352346。

5.一種寬工作溫區(qū)高介電性能的無(wú)鉛電子陶瓷材料的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：

1)將反應(yīng)物Na₂CO₃, TiO₂，Bi₂O₃和MgO粉末置于干燥器中冷卻至室溫后由化學(xué)通式中元素的化學(xué)計(jì)量比稱重；

2)將步驟1)中的反應(yīng)物粉末在異丙醇中混合球磨并干燥，干燥后的反應(yīng)物粉末預(yù)燒，預(yù)燒后的粉末進(jìn)行二次球磨，最后干燥研磨，得到鈦酸鉍鈉基無(wú)鉛壓電陶瓷粉體；

3)將步驟2)得到的鈦酸鉍鈉基無(wú)鉛壓電陶瓷粉體經(jīng)造粒、壓片、排膠處理后，在封閉的氧化鋁坩堝中1000～1120℃燒結(jié)2～3小時(shí)，得到寬工作溫區(qū)高介電性能的無(wú)鉛電子陶瓷材料。

6.如權(quán)利要求5所述的寬工作溫區(qū)高介電性能的無(wú)鉛電子陶瓷材料的制備方法，其特征在于：所述步驟1)中反應(yīng)物Na₂CO₃, TiO₂，Bi₂O₃和MgO粉末的純度均為99%。

7.如權(quán)利要求5所述的寬工作溫區(qū)高介電性能的無(wú)鉛電子陶瓷材料的制備方法，其特征在于：所述步驟2)中預(yù)燒溫度為780～920℃，預(yù)燒時(shí)間為2～5小時(shí)。

8.如權(quán)利要求5所述的寬工作溫區(qū)高介電性能的無(wú)鉛電子陶瓷材料的制備方法，其特征在于：所述步驟2)中二次球磨的轉(zhuǎn)速為150～450r/min，二次球磨時(shí)間為3～8小時(shí)。

9.一種寬工作溫區(qū)高介電性能的無(wú)鉛電子陶瓷材料的應(yīng)用，其特征在于：將權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的寬工作溫區(qū)高介電性能的無(wú)鉛電子陶瓷材料用于制備各種形狀的陶瓷電容器、絕緣體器件。