[發(fā)明專利]一種高導(dǎo)熱效率石墨復(fù)合片的制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710546970.5 | 申請日: | 2017-07-06 |
| 公開(公告)號: | CN107221506A | 公開(公告)日: | 2017-09-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鄧安進(jìn) | 申請(專利權(quán))人: | 辛格頓(蘇州)電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215000 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 導(dǎo)熱 效率 石墨 復(fù)合 制作方法 | ||
1.一種高導(dǎo)熱效率石墨復(fù)合片的制作方法,所述石墨復(fù)合片包括表面與熱源相接觸的石墨片以及貫穿所述石墨片的多片導(dǎo)熱銅箔,所述導(dǎo)熱銅箔的厚度與所述石墨片的厚度相同;其特征在于,它包括以下步驟:
(a)將石墨卷沖切成石墨片,并沖壓形成多個通孔;
(b)將銅箔卷沖切成導(dǎo)熱銅箔;
(c)將所述導(dǎo)熱銅箔填入所述通孔中即可。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高導(dǎo)熱效率石墨復(fù)合片的制作方法,其特征在于:它還包括步驟(d)在所述石墨片另一表面粘貼形成粘結(jié)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高導(dǎo)熱效率石墨復(fù)合片的制作方法,其特征在于:它還包括步驟(d')將步驟(c)得到的產(chǎn)品置于1000~1080℃、真空條件下保溫10~30分鐘后降至室溫。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高導(dǎo)熱效率石墨復(fù)合片的制作方法,其特征在于:所述步驟(d')中,其升溫速度為30~50℃/h,其降溫速度為50~100℃/h。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





