[發(fā)明專利]OLED基板和OLED顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710546181.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-07-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107293573A | 公開(公告)日: | 2017-10-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 許名宏 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11112 | 代理人: | 姜春咸,陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | oled 顯示裝置 | ||
1.一種OLED基板,所述OLED基板包括襯底基板以及形成在所述襯底基板上的功能元件層,所述功能元件層包括位于該功能元件層表層的導(dǎo)電層,其特征在于,所述OLED基板還包括形成在所述襯底基板上的至少一個(gè)連接件,所述連接件能夠?qū)щ姡鲞B接件設(shè)置在所述導(dǎo)電層上,當(dāng)所述連接件所處的溫度大于或等于預(yù)設(shè)封裝溫度時(shí),所述連接件為熔融態(tài),當(dāng)所述連接件所處的溫度小于所述預(yù)設(shè)封裝溫度時(shí),所述連接件為固態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED基板,其特征在于,所述導(dǎo)電層為網(wǎng)格狀,且所述導(dǎo)電層與像素單元中的子像素的邊界重疊,所述功能元件層還包括多個(gè)支撐物,所述支撐物設(shè)置在所述襯底基板和所述導(dǎo)電層之間,且所述導(dǎo)電層覆蓋所述支撐物,所述連接件設(shè)置在所述支撐物的背離所述襯底基板的端部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED基板,其特征在于,所述功能元件層包括依次形成在所述襯底基板上的陽極層、發(fā)光層和陰極層,所述導(dǎo)電層包括所述陰極層,所述功能元件層還包括像素界定件,所述像素界定件將所述功能元件層劃分為多個(gè)像素單元,所述連接件位于所述像素界定件上方。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的OLED基板,其特征在于,所述功能元件層還包括修飾層,所述修飾層位于所述陰極層的下方,并與所述陰極層接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的OLED基板,其特征在于,所述連接件的材料包括鎵基合金或銦、錫、鉍和鋅中任意兩種或以上的合金。
6.一種OLED顯示裝置,所述OLED顯示裝置包括封裝蓋板和OLED顯示基板,其特征在于,所述封裝蓋板上設(shè)置有導(dǎo)電層,所述OLED顯示裝置還包括至少一個(gè)連接件,所述連接件位于所述導(dǎo)電層和所述OLED顯示基板的陰極層之間,所述連接件能夠?qū)щ姡鲞B接件分別電連接所述導(dǎo)電層和所述OLED顯示基板的陰極層,以使得所述導(dǎo)電層與所述OLED顯示基板的陰極層并聯(lián);當(dāng)所述連接件所處的溫度大于或等于預(yù)設(shè)封裝溫度時(shí),所述連接件為熔融態(tài),當(dāng)所述連接件所處的溫度小于所述預(yù)設(shè)封裝溫度時(shí),所述連接件為固態(tài)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的OLED顯示裝置,其特征在于,所述導(dǎo)電層為網(wǎng)格狀,且所述導(dǎo)電層與像素單元中的子像素的邊界重疊。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的OLED顯示裝置,其特征在于,所述OLED顯示基板還包括像素界定件,所述像素界定件將所述OLED顯示基板劃分為多個(gè)像素單元,所述連接件位于所述像素界定件上方。
9.根據(jù)權(quán)利要求6至8任意一項(xiàng)所述的OLED顯示裝置,其特征在于,所述封裝蓋板的朝向所述OLED顯示基板的一側(cè)還設(shè)置有多個(gè)支撐物,所述導(dǎo)電層覆蓋所述支撐物,所述連接件設(shè)置在所述支撐物的背離所述封裝蓋板的端部。
10.根據(jù)權(quán)利要求6至8任意一項(xiàng)所述的OLED顯示裝置,其特征在于,所述OLED顯示基板上還設(shè)置有修飾層,所述修飾層位于所述陰極層的下方,并與所述陰極層接觸。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





