[發明專利]多端口光電器件封裝方法及基于該方法的多端口光電器件

在審

• 申請號: 201710546090.8
• 申請日: 2017-07-06
• 公開（公告）號: CN107219593A
• 公開（公告）日: 2017-09-29
• 發明（設計）人: 許遠忠;張強;張勇;李惠敏
• 申請（專利權）人: 成都光創聯科技有限公司
• 主分類號: G02B6/42
• 分類號: G02B6/42
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務所(普通合伙)51227
• 代理人: 周永宏

1.一種多端口光電器件封裝方法，該多端口光電器件至少包括：金屬氣密盒、激光器芯片以及接收芯片；其特征在于，所述激光器芯片與接收芯片采用平面化結構耦合封裝于金屬氣密盒中，所述金屬氣密盒一側設有與外部連接的接口；所述激光芯片與接收芯片各自的管腳分別與該接口電連接；所述金屬氣密盒采用平行縫焊工藝密封。

2.基于權利要求1所述封裝方法的三端口光電器件，其特征在于，包括：采用平行縫焊工藝密封的金屬氣密盒；以及沿同一光路依次分布第一激光器芯片、-45°透反射濾波片、+45°透反射濾波片；還包括：-45°透反射濾波片正上方設置的第二激光器芯片，以及+45°透反射濾波片正下方設置的接收芯片；

所述第一激光器芯片、-45°透反射濾波片、+45°透反射濾波片、第二激光器芯片以及接收芯片，采用平面化結構耦合封裝于金屬氣密盒中；

所述金屬氣密盒一側設有與外部連接的接口；

所述第一激光器芯片、第二激光器芯片以及接收芯片各自的管腳分別與該接口電連接；。

3.根據權利要求2所述的三端口光電器件，其特征在于，所述第一激光器芯片采用1577nm EML芯片。

4.根據權利要求2所述的三端口光電器件，其特征在于，所述第二激光器芯片采用1490nm DFB芯片。

5.根據權利要求2所述的三端口光電器件，其特征在于，所述接收芯片采用1310nmAPD芯片。

6.基于權利要求1所述的封裝方法的四端口光電器件，其特征在于，包括：采用平行縫焊工藝密封的金屬氣密盒；以及沿同一光路依次分布第一激光器芯片、第一-45°透反射濾波片、+45°透反射濾波片、第二-45°透反射濾波片；還包括：第一-45°透反射濾波片正上方設置的第二激光器芯片、+45°透反射濾波片正下方設置的第一接收芯片、以及第二-45°透反射濾波片正上方設置的第二接收芯片；

所述第一激光器芯片、第一-45°透反射濾波片、+45°透反射濾波片、第二-45°透反射濾波片、第二激光器芯片、第一接收芯片以及第二接收芯片，采用平面化結構耦合封裝于金屬氣密盒中；

所述金屬氣密盒一側設有與外部連接的接口；

所述第一激光器芯片、第二激光器芯片、第一接收芯片以及第二接收芯片各自的管腳分別與該接口電連接。

7.根據權利要求6所述的三端口光電器件，其特征在于，所述第一激光器芯片采用1577nm EML芯片或1577nm DML芯片。

8.根據權利要求6所述的三端口光電器件，其特征在于，所述第二激光器芯片采用1490nm DFB芯片。

9.根據權利要求6所述的三端口光電器件，其特征在于，所述第一接收芯片與第二接收芯片采用1310nm APD芯片。