[發(fā)明專利]具有基于納米管或納米線的平面陰極的真空電子管有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710545817.0 | 申請(qǐng)日： | 2017-07-06 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107591299B | 公開（公告）日： | 2021-07-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | J-P·馬澤利耶;L·薩博 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 泰勒斯公司 |
| 主分類號(hào)： | H01J1/304 | 分類號(hào)： | H01J1/304;H01J35/06 |
| 代理公司： | 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314 | 代理人： | 程偉;王錦陽(yáng) |
| 地址： | 法國(guó)庫(kù)*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 基于 納米 平面 陰極 真空 電子管 | ||
1.真空電子管，其包括布置在真空室(E)中的至少一個(gè)電子發(fā)射陰極(C)和至少一個(gè)陽(yáng)極(A)，
所述陰極具有平面結(jié)構(gòu)，所述平面結(jié)構(gòu)包括：
基底(Sb)，所述基底包括導(dǎo)電材料，
多個(gè)納米管或納米線元件，所述納米管或納米線元件與基底電絕緣，所述納米管或納米線元件的縱向軸線實(shí)質(zhì)上平行于基底的平面，
至少一個(gè)第一連接器(CE1)，所述第一連接器電性聯(lián)接至至少一個(gè)納米管或納米線元件，從而能夠向納米線或納米管元件施加第一電勢(shì)(V1)，
第一控制裝置(MC1)，所述第一控制裝置聯(lián)接至第一連接器(CE1)和基底(Sb)，并且配置為在基底和納米管元件之間施加偏壓(VNW)，從而使得納米管或納米線元件通過其表面(S)經(jīng)由隧穿效應(yīng)而發(fā)射電子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空電子管，其中，納米管或納米線元件實(shí)質(zhì)上彼此平行。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的真空電子管，其中，第一連接器(CE1)包括第一實(shí)質(zhì)上平面的接觸元件(C1)，所述接觸元件布置在絕緣層(Is)上，并且聯(lián)接至所述納米管或納米線元件的第一端部(E1)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空電子管，其中，偏壓在100V和1000V之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空電子管，其中，納米管或納米線元件(NT)的半徑(r)在1nm和100nm之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空電子管，其中，所述陰極包括第二連接器(CE2)，所述第二連接器電性聯(lián)接至至少一個(gè)納米管或納米線元件(NT)，從而能夠向納米管或納米線元件施加第二電勢(shì)(V2)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的真空電子管，其中，第一連接器和第二連接器(CE1、CE2)分別包括第一實(shí)質(zhì)上平面的接觸元件(C1)和第二實(shí)質(zhì)上平面的接觸元件(C2)，所述第一實(shí)質(zhì)上平面的接觸元件(C1)和第二實(shí)質(zhì)上平面的接觸元件(C2)布置在絕緣層上，并且分別聯(lián)接于所述納米管或納米線元件的第一端部(E1)和第二端部(E2)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的真空電子管，其中，所述第二連接器(CE2)聯(lián)接至第一連接器(CE1)并且第一電勢(shì)(V1)和第二電勢(shì)(V2)相等。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空電子管，其中，所述陰極包括同時(shí)聯(lián)接至第一連接器(CE1)和第二連接器(CE2)的至少一個(gè)納米管或納米線元件，并且所述陰極包括第二控制裝置(MC2)，所述第二控制裝置聯(lián)接至第一連接器(CE1)和第二連接器(CE2)并且配置為憑借第一電勢(shì)(V1)和第二電勢(shì)(V2)而向所述納米管或納米線元件(NT)施加加熱電壓(Vch)，從而在所述納米管或納米線元件(NT)中產(chǎn)生電流(I)，使得納米管或納米線元件經(jīng)由其表面(S)通過熱離子效應(yīng)而發(fā)射電子。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的真空電子管，其中，加熱電壓在0.1V和10V之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空電子管，其中，納米管或納米線元件(NT)部分地掩埋在隱埋絕緣層(Isent)中。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空電子管，其中，所述陰極(C)劃分為多個(gè)區(qū)域(Z、Z’)，每個(gè)區(qū)域(Z、Z’)的納米管或納米線元件聯(lián)接至不同的第一電連接器(CE1、CE1’)，使得施加至每個(gè)區(qū)域的偏壓(VNW、VNW’)是獨(dú)立的且能夠重新配置的。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空電子管，其中，納米管或納米線元件是導(dǎo)體。
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