[發(fā)明專利]具有高透光率的LED芯片在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710544820.0 | 申請(qǐng)日： | 2017-07-06 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN107195758A | 公開(kāi)（公告）日： | 2017-09-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 龐綺琪 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 龐綺琪 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/48 | 分類號(hào)： | H01L33/48;H01L33/50;H01L33/56 |
| 代理公司： | 北京華仲龍騰專利代理事務(wù)所(普通合伙)11548 | 代理人： | 李靜 |
| 地址： | 528000 廣東省佛山市*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 透光率 led 芯片 | ||
1.具有高透光率的LED芯片，其特征是所述LED芯片具有固晶區(qū)域，所述固晶區(qū)域由冷白區(qū)域以及暖白區(qū)域組成，所述LED芯片的基板為陶瓷基板，所述基板上具有環(huán)形側(cè)壁，所述環(huán)形側(cè)壁表面具有熒光層，所述環(huán)形側(cè)壁中填充封裝膠。
2.如權(quán)利要求1所述的具有高透光率的LED芯片，其特征是所述陶瓷基板的的陶瓷材質(zhì)選自氧化鋁、氮化鋁、氧化鋯以及氟化鈣。
3.如權(quán)利要求1所述所述的具有高透光率的LED芯片，其特征是所述LED芯片包括依序堆疊的N型半導(dǎo)體層、半導(dǎo)體發(fā)光層、P型半導(dǎo)體層。
4.如權(quán)利要求1所述所述的具有高透光率的LED芯片，其特征是所述N型半導(dǎo)體層為N型GaN(氮化鎵)層，所述半導(dǎo)體發(fā)光層包含氮化鎵或氮化銦鎵，所述P型半導(dǎo)體層為P型GaN層，所述的P型GaN層及N型GaN層分別電連接連接至外部電源。
5.如權(quán)利要求1所述所述的具有高透光率的LED芯片，其特征是所述的所述封裝膠包覆環(huán)形側(cè)壁和熒光層，所述封裝膠由包括硅膠和/或環(huán)氧樹(shù)脂的材料構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求1所述所述的所述的具有高透光率的LED芯片，其特征是位于所述LED芯片在于環(huán)形側(cè)壁的固晶區(qū)域內(nèi)交錯(cuò)排列。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于龐綺琪，未經(jīng)龐綺琪許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710544820.0/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：一種LED封裝結(jié)構(gòu)
- 下一篇：一種LED燈絲及LED燈
- 同類專利
- 專利分類
