[發(fā)明專利]基于磁控形狀記憶效應(yīng)的箔片端面氣膜密封結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710544611.6
• 申請日: 2017-07-06
• 公開（公告）號: CN107269848B
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 彭旭東;陳源;江錦波;孟祥鎧;李紀(jì)云
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江工業(yè)大學(xué)
• 主分類號: F16J15/40
• 分類號: F16J15/40
• 代理公司: 杭州天正專利事務(wù)所有限公司 33201
• 代理人: 王兵;黃美娟

1.基于磁控形狀記憶效應(yīng)的箔片端面氣膜密封結(jié)構(gòu)，包括氣膜密封的動環(huán)和靜環(huán)；所述動環(huán)或靜環(huán)中至少一個密封環(huán)的密封端面是箔片端面，帶箔片端面的密封環(huán)包括圓環(huán)狀的環(huán)本體(1)、扇形磁控形狀記憶合金塊(2)、環(huán)形箔片(3)，環(huán)本體外側(cè)下凹形成圓環(huán)形凹面，環(huán)本體內(nèi)側(cè)凸起形成圓環(huán)臺階，所述圓環(huán)臺階的上表面形成密封壩(12)，所述圓環(huán)形凹面上開有若干個依照旋轉(zhuǎn)中心對稱分布的扇形槽(11)，每個扇形槽(11)中放入與扇形槽(11)間隙配合的扇形磁控形狀記憶合金塊(2)，所述扇形磁控形狀記憶合金塊(2)沿軸向的厚度大于所述扇形槽(11)的深度；所述環(huán)形箔片(3)分為外環(huán)形箔片(31)和內(nèi)環(huán)形箔片(32)，所述內(nèi)環(huán)形箔片(32)沿周向均勻分割成與扇形槽數(shù)目相同且對應(yīng)布置的扇形箔塊(33)；所述外環(huán)形箔片(31)通過螺釘(4)與環(huán)本體(1)固定，固定后的內(nèi)環(huán)形箔片(32)的下表面剛好與扇形磁控形狀記憶合金塊(2)的上表面接觸，所述內(nèi)環(huán)形箔片(32)的上表面為楔形面，所述楔形面的內(nèi)圓周面在密封處于靜止?fàn)顟B(tài)時低于密封壩(12)平面，而在密封處于運(yùn)行狀態(tài)時受扇形磁控形狀記憶合金塊(2)的形變作用產(chǎn)生微米級振幅的高頻顫振，并在振幅最大時與密封壩平面齊平，所述楔形面的外圓周面始終低于密封壩平面。

2.如權(quán)利要求1所述的基于磁控形狀記憶效應(yīng)的箔片端面氣膜密封結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述扇形磁控形狀記憶合金塊(2)的周向角度小于所述扇形槽(11)的周向角度0.05～0.5°，所述扇形磁控形狀記憶合金塊(2)的內(nèi)徑尺寸大于所述扇形槽(11)內(nèi)徑尺寸0.01～0.1mm，所述扇形磁控形狀記憶合金塊(2)的外徑尺寸小于所述扇形槽(11)外徑尺寸0.01～0.1mm。

3.如權(quán)利要求2所述的基于磁控形狀記憶效應(yīng)的箔片端面氣膜密封結(jié)構(gòu)，其特征在于：密封處于靜止?fàn)顟B(tài)時所述楔形面的內(nèi)圓周面低于密封壩平面0.5～3μm；密封處于靜止?fàn)顟B(tài)時所述楔形面的內(nèi)圓周面與外圓周面的高度差h的取值范圍為1～5μm；密封處于運(yùn)行狀態(tài)時受扇形磁控形狀記憶合金塊的作用，所述楔形面的內(nèi)圓周面軸向振幅的取值范圍為0.5～3μm；密封處于運(yùn)行狀態(tài)時受扇形磁控形狀記憶合金塊的作用，所述楔形面的內(nèi)圓周面軸向振動頻率的取值范圍為10～500Hz。