[發(fā)明專利]陣列基板的制作方法

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• 申請日: 2017-07-05
• 公開（公告）號: CN107146771A
• 公開（公告）日: 2017-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 胡小波
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司44202
• 代理人: 郝傳鑫,熊永強

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成柵極；

在所述基板的朝向所述柵極的一側(cè)形成柵極絕緣層，所述柵極絕緣層覆蓋所述柵極；

在所述柵極絕緣層的遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)依次沉積銦鎵鋅錫氧化物層和銦鎵鋅氧化物層；

通過第一黃光制程圖案化所述銦鎵鋅氧化物層和所述銦鎵鋅錫氧化物層，以形成保護(hù)層和有源層，所述保護(hù)層覆蓋所述有源層；

在所述保護(hù)層的遠(yuǎn)離所述有源層的一側(cè)沉積金屬層；以及

通過第二黃光制程圖案化所述金屬層和所述保護(hù)層，以形成源極、漏極以及隔離區(qū)，所述源極和所述漏極彼此間隔且分別連接于所述有源層的兩端，所述隔離區(qū)形成在所述保護(hù)層上且位于所述源極與所述漏極之間。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述保護(hù)層還包括間隔設(shè)置的第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述源極與所述有源層之間，所述第二部分位于所述漏極與所述有源層之間。

3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述陣列基板的制作方法還包括：對所述銦鎵鋅氧化物層進(jìn)行導(dǎo)體化處理，以使所述第一部分和所述第二部分形成歐姆接觸層。

4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述導(dǎo)體化處理的方式為等離子體處理方式、離子注入處理方式、紫外光照射處理方式或微波處理方式。

5.如權(quán)利要求3所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述歐姆接觸層的厚度小于等于500埃。

6.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述有源層的厚度大于等于400埃且小于等于1000埃。

7.如權(quán)利要求1～6任一項所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第二黃光制程包括：

通過光刻工藝在所述金屬層遠(yuǎn)離所述保護(hù)層的一側(cè)形成光阻，所述光阻包括間隔設(shè)置的第一區(qū)域和第二區(qū)域，至少部分所述保護(hù)層位于所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域之間。

8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第二黃光制程還包括：

通過濕刻蝕工藝去除所述金屬層和所述保護(hù)層的未被所述光阻覆蓋的部分，以形成源極、漏極以及隔離區(qū)。

9.如權(quán)利要求8所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述濕刻蝕工藝的過刻量大于20％。

10.如權(quán)利要求1～6任一項所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述陣列基板的制作方法還包括：

在所述源極的遠(yuǎn)離所述柵極絕緣層的一側(cè)形成鈍化層，所述鈍化層同時覆蓋所述源極、所述漏極以及所述有源層，所述鈍化層具有通孔，所述通孔用以暴露出部分所述漏極；和

在形成在所述鈍化層的遠(yuǎn)離所述源極的一側(cè)形成像素電極，所述像素電極通過所述通孔連接至所述漏極。