[發明專利]一種綜合保護電路、綜合保護裝置及塑封裝置

有效

• 申請號: 201710543164.2
• 申請日: 2017-07-05
• 公開（公告）號: CN107196273B
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發明（設計）人: 楊友林;陳勤華
• 申請（專利權）人: 上海一旻成峰電子科技有限公司
• 主分類號: H02H7/20
• 分類號: H02H7/20;H02H3/08;H02H5/04
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種綜合保護電路，應用于IGBT電力半導體器件，其特征在于，包括輸入保護電路、過溫保護電路和過流短路保護電路；

所述輸入保護電路的輸入端連接所述IGBT電力半導體器件的輸入控制電壓，所述輸入保護電路的輸出端連接所述過溫保護電路的輸入端；

所述過溫保護電路的輸出端連接所述過流短路保護電路的輸入端；

所述過流短路保護電路的輸出端連接所述IGBT電力半導體器件的輸入端；

所述輸入保護電路用于保護所述IGBT電力半導體器件的所述輸入控制電壓；

所述過溫保護電路用于避免所述IGBT電力半導體器件的工作結溫快速上升；

所述過流短路電路用于使所述IGBT電力半導體器件在出現過流或短路現象時不被損壞；

所述過溫保護電路包括：

負溫度傳感器，一端連接所述輸入保護電路的所述輸出端，另一端連接一第二節點；

正溫度傳感器，所述正溫度傳感器的一端連接所述IGBT電力半導體器件的零電壓端，另一端連接所述第二節點；

第一隔離二極管，輸入端連接所述第二節點，輸出端連接一單向可控硅的觸發極；

所述單向可控硅的正極連接所述IGBT電力半導體器件的所述輸入控制電壓，所述單向可控硅的負極連接所述零電壓端。

2.如權利要求1所示的綜合保護電路，其特征在于，所述輸入保護電路包括；

P溝道場效應管，所述P溝道場效應管的漏極連接所述輸入保護電路的所述輸入端，源極連接所述輸入保護電路的所述輸出端，柵極連接一第一節點；

N溝道場效應管，所述N溝道場效應管的漏極連接所述輸入保護電路的所述輸入端，源極連接所述輸入保護電路的所述輸出端；

第一電阻，連接在所述輸入保護電路的所述輸入端和所述第一節點之間；

第二電阻，連接在所述輸入保護電路的所述輸出端和第一節點之間。

3.如權利要求1所示的綜合保護電路，其特征在于，所述過流短路保護電路包括；

第一分壓電阻，連接所述過溫保護電路的輸出端和一第三節點之間；

第二分壓電阻，連接在所述第三節點和一第四節點之間；

第三分壓電阻，連接在所述第四節點和所述零電壓端之間；

第二隔離二極管，正極連接所述第四節點，負極連接所述單向可控硅的所述觸發極；

快速恢復二極管，正極連接所述第三節點，負極連接所述IGBT電力半導體器件的所述輸入端；

延時電容，并聯在所述第三分壓電阻的兩端。

4.一種綜合保護裝置，包括如權利要求1-3中任意一項所述綜合保護電路，應用于IGBT電力半導體器件，其特征在于，包括電子元器件，所述電子元器件包括所述權利要求1-3中任意一項所述的綜合保護電路；

所述綜合保護裝置還包括；

電路基板，固定設置于所述IGBT電力半導體器件上，多個所述電子元器件分別排列于所述電路基板的中間區域；

引出接線端子，固定設置在所述電路基板的兩側。

5.如權利要求4所述的綜合保護裝置，其特征在于，所述電路基板為印制電路板；

所述電路基板設置于所述IGBT電力半導體器件的上方。

6.如權利要求4所述的綜合保護裝置，其特征在于，所述電路基板為覆銅板；

所述電路基板嵌入封裝在所述IGBT電力半導體器件的內部。

7.如權利要求5或6所述的綜合保護裝置，其特征在于，所述引出接線端子設置有第一接線端、第二接線端、第三接線端、第四接線端；

所述第一接線端接入所述IGBT電力半導體器件的輸入控制電壓；

所述第二接線端、所述第三接線端、所述第四接線端分別連接相對應的所述IGBT電力半導體器件；

所述第一接線端與所述第三接線端相對于所述電子元器件排列的區域分別設置于所述電路基板的兩側；

所述第二接線端與所述第一接線端設置于所述電路基板的同側；

所述第四接線端與所述第三接線端設置于所述電路基板的同側。