[發(fā)明專利]半導(dǎo)體制造裝置及半導(dǎo)體器件的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710542838.7 | 申請日: | 2017-07-05 |
| 公開(公告)號: | CN107622955B | 公開(公告)日: | 2020-05-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 名久井勇輝;岡本直樹;齊藤明;田中深志;橫森剛;二宮勇 | 申請(專利權(quán))人: | 捷進(jìn)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/52 | 分類號: | H01L21/52;H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 陳偉;閆劍平 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 制造 裝置 半導(dǎo)體器件 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體制造裝置,其特征在于,
具備吸附裸芯片的筒夾部,
所述筒夾部具備:
吸附部,其具有第一吸引孔,吸附所述裸芯片的中央附近;
保持部,其保持所述吸附部;
管狀部,其與所述保持部連接,具有與第一吸引孔相連的第二吸引孔;
外周部,其位于所述保持部及所述管狀部的外側(cè);
第三吸引孔,其構(gòu)成在所述保持部及所述管狀部與外周部之間;以及
提起單元,因所述裸芯片的周邊部向下方撓曲而在所述第三吸引孔處產(chǎn)生泄漏,所述提起單元的內(nèi)壓變高,由此壓下所述外周部使其與所述裸芯片的周邊部抵接,變得不產(chǎn)生所述泄漏,所述提起單元的內(nèi)壓降低,由此提起所述外周部,提起所述裸芯片的周邊部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造裝置,其特征在于,
所述提起單元是設(shè)置于所述外周部的上方且在所述管狀部的外側(cè)的波紋管機(jī)構(gòu),若內(nèi)壓變高,則通過波紋管機(jī)構(gòu)的恢復(fù)力壓下所述外周部,若內(nèi)壓降低,則通過所述波紋管機(jī)構(gòu)的吸引力提起所述外周部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體制造裝置,其特征在于,
所述波紋管機(jī)構(gòu)由從所述管狀部水平延伸的安裝部、所述外周部的水平部、連接于所述安裝部與所述外周部的水平部之間的波紋管構(gòu)成,
經(jīng)由設(shè)置于所述外周部的水平部的孔,使所述波紋管機(jī)構(gòu)與所述第三吸引孔連通。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造裝置,其特征在于,
所述提起單元是設(shè)置于所述外周部的上方且在所述管狀部的外側(cè)的隔膜機(jī)構(gòu),若內(nèi)壓變高,則通過隔膜機(jī)構(gòu)的恢復(fù)力壓下所述外周部,若內(nèi)壓降低,則通過所述隔膜機(jī)構(gòu)的吸引力提起所述外周部。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體制造裝置,其特征在于,
所述隔膜機(jī)構(gòu)由從所述管狀部水平延伸的安裝部、所述外周部的上部的水平部、所述外周部的上部的垂直部、連接于所述安裝部、以及所述外周部的上部的水平部與所述外周部的上部的垂直部之間的隔膜構(gòu)成,
經(jīng)由設(shè)置于所述外周部的上部的孔,使所述隔膜機(jī)構(gòu)和所述第二吸引孔連通。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體制造裝置,其特征在于,
所述隔膜機(jī)構(gòu)由從所述管狀部水平延伸的第一安裝部、從比所述第一安裝部靠下方的所述管狀部水平延伸的第二安裝部、所述外周部的上部的水平部、連接于所述第一安裝部與所述外周部的上部之間的第一隔膜、以及連接于所述第二安裝部與比所述外周部的所述上部靠下方的所述外周部之間的第二隔膜構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造裝置,其特征在于,
所述提起單元是設(shè)置于所述外周部的上方且在所述管狀部的外側(cè)的活塞機(jī)構(gòu),若內(nèi)壓變高,則通過活塞機(jī)構(gòu)的恢復(fù)力壓下所述外周部,若內(nèi)壓降低,則通過所述活塞機(jī)構(gòu)的吸引力提起所述外周部。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體制造裝置,其特征在于,
所述活塞機(jī)構(gòu)由從所述管狀部水平延伸的安裝部、所述外周部的上部的水平部、所述外周部的上部的垂直部、一端連接于所述安裝部的下表面及所述管狀部且另一端連接于所述外周部的上部的垂直部的蓋部、以及連接于所述蓋部與所述外周部的上部的水平部之間的彈簧構(gòu)成,
經(jīng)由設(shè)置于所述外周部的上部的孔,使所述活塞機(jī)構(gòu)和所述第二吸引孔連通。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造裝置,其特征在于,還具備:
上推單元,其從切割帶的下方吸附并上推所述裸芯片;以及
拾取頭,其安裝有所述筒夾部。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體制造裝置,其特征在于,還具備:
中間載臺,其載置由所述拾取頭拾取的裸芯片;以及
貼裝頭,其將載置于所述中間載臺的裸芯片向基板或已貼裝的裸芯片之上貼裝。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





