[發(fā)明專利]一種去除高純氯硅烷痕量雜質(zhì)的裝置和方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710542140.5 | 申請(qǐng)日： | 2017-07-05 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107235494A | 公開（公告）日： | 2017-10-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 黃海濤;賈琳蔚;楊強(qiáng);鮮洪;王劭南 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 四川瑞能硅材料有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C01B33/107 | 分類號(hào)： | C01B33/107;C01B33/03 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227 | 代理人： | 趙青朵 |
| 地址： | 620040*** | 國(guó)省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 去除 高純 硅烷 痕量 雜質(zhì) 裝置 方法 | ||
1.一種去除高純氯硅烷痕量雜質(zhì)的裝置，包括：
汽化裝置；
入口與所述汽化裝置出口相連的吸附裝置；所述吸附裝置內(nèi)設(shè)置有吸附劑；所述吸附劑為硅膠。
2.一種高純多晶硅的生產(chǎn)裝置，包括：
汽化裝置；
入口與所述汽化裝置出口相連的吸附裝置；所述吸附裝置內(nèi)設(shè)置有吸附劑；所述吸附劑為硅膠；
入口與所述吸附裝置出口相連的還原裝置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，還包括氫氣提供裝置，所述氫氣提供裝置的出口與吸附裝置入口相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，還包括氫氣提供裝置，所述氫氣提供裝置的出口與還原裝置入口相連。
5.一種去除高純氯硅烷痕量雜質(zhì)的方法，包括：
A)液相氯硅烷經(jīng)汽化裝置汽化后，得到氣相氯硅烷；
B)所述氣相氯硅烷經(jīng)吸附裝置內(nèi)的吸附劑吸附，得到高純氯硅烷；所述吸附劑為硅膠。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述吸附劑還包括氯化銅；所述氯化銅在所述吸附劑中的質(zhì)量百分比為0.1％～30％。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述硅膠的粒徑為50μm～5mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述汽化的溫度為50℃～450℃；所述吸附的溫度為50℃～450℃。
9.一種高純多晶硅的生產(chǎn)方法，包括：
A)液相氯硅烷經(jīng)汽化裝置汽化后，得到氣相氯硅烷；
B)所述氣相氯硅烷經(jīng)吸附裝置內(nèi)的吸附劑吸附，在氫氣的存在下經(jīng)還原裝置還原得到高純多晶硅；所述吸附劑為硅膠。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述步驟B)還可以為：所述氣相氯硅烷與氫氣混合，而后經(jīng)吸附裝置吸附，再經(jīng)還原裝置還原得到高純多晶硅。
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