[發明專利]金屬納米顆粒及其制備方法、QLED器件有效
| 申請號： | 201710542113.8 | 申請日： | 2017-07-05 |
| 公開（公告）號： | CN109202059B | 公開（公告）日： | 2020-01-03 |
| 發明（設計）人： | 程陸玲;楊一行 | 申請（專利權）人： | TCL集團股份有限公司 |
| 主分類號： | B22F1/00 | 分類號： | B22F1/00;H01L51/50;H01L51/54;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 44237 深圳中一專利商標事務所 | 代理人： | 黃志云 |
| 地址： | 516006 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬納米顆粒 種子溶液 硫醇 配體 分散處理 制備 鹵化 三鹵代乙酸 惰性氛圍 攪拌反應 淬滅劑 混合液 季銨鹽 萃取劑 鈍化 配置 | ||
1.一種金屬納米顆粒的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供金屬納米顆粒種子，配置成金屬納米顆粒種子溶液；
將所述金屬納米顆粒種子溶液分散處理后，加入硫醇混合反應，然后采用萃取劑從混合液中離心分離，得到含有硫醇配體的金屬納米顆粒種子，分散處理后形成含有硫醇配體的金屬納米顆粒種子溶液；
在所述含有硫醇配體的金屬納米顆粒種子溶液中添加鹵化季銨鹽和三鹵代乙酸，在惰性氛圍下攪拌反應，反應結束后加入淬滅劑，得到鹵素鈍化的金屬納米顆粒。
2.如權利要求1所述的金屬納米顆粒的制備方法，其特征在于，所述鹵化季銨鹽為烴基碳原子數為1-8的鹵化季銨鹽；和/或
所述三鹵代乙酸為三氟乙酸、三氯乙酸、三溴乙酸、三碘乙酸中的至少一種。
3.如權利要求1所述的金屬納米顆粒的制備方法，其特征在于，所述鹵化季銨鹽和所述三鹵代乙酸的摩爾比為5:1～5:4。
4.如權利要求1-3任一所述的金屬納米顆粒的制備方法，其特征在于，所述硫醇為含有一個巰基的硫醇，且所述硫醇的碳原子數為6～20。
5.如權利要求4所述的金屬納米顆粒的制備方法，其特征在于，所述硫醇為八硫醇、十二硫醇、十四硫醇、1-壬硫醇、1-己硫醇、1-庚硫醇、1-辛硫醇中的至少一種。
6.如權利要求1-3任一所述的金屬納米顆粒的制備方法，其特征在于，所述硫醇的添加量滿足：所述金屬納米顆粒種子的質量與所述硫醇的摩爾用量之比為100mg:(0.1-1)mmol。
7.如權利要求1-3任一所述的金屬納米顆粒的制備方法，其特征在于，所述淬滅劑為三乙胺、二丙胺、三丁胺、三戊胺中的至少一種。
8.如權利要求1-3任一所述的金屬納米顆粒的制備方法，其特征在于，所述金屬納米顆粒種子包括金納米顆粒、銀納米顆粒或銅納米顆粒。
9.一種金屬納米顆粒，其特征在于，所述金屬納米顆粒由權利要求1-8任一所述方法制備獲得。
10.一種QLED器件，其特征在于，包含電荷傳輸層，且所述電荷傳輸層由權利要求1-8任一所述方法制備獲得的金屬納米顆粒制成。
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