[發(fā)明專利]復合發(fā)光層、QLED器件及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710542109.1
• 申請日: 2017-07-05
• 公開（公告）號: CN109216567B
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發(fā)明（設計）人: 梁柱榮;曹蔚然;劉佳
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 黃志云

1.一種復合發(fā)光層，其特征在于，包括由氧化石墨烯和有機胺配體混合制成的輔助功能層，以及結合在所述輔助功能層上的量子點層，且所述氧化石墨烯表面含有富電子官能團，所述有機胺配體的結構通式為Y-R-R₁N⁺(R₂)R₃，其中，R為烴基、芳基及其衍生物中的一種；R₁、R₂、R₃分別獨立選自H、烴基中的一種；

所述復合發(fā)光層中，所述有機胺配體的-R₁N⁺(R₂)R₃與所述氧化石墨烯表面的富電子官能團連接，所述有機胺配體的Y與所述量子點層中的量子點結合；所述輔助功能層中，所述氧化石墨烯和所述有機胺配體的質量比為1：0.001～1：0.5。

2.如權利要求1所述的復合發(fā)光層，其特征在于，所述氧化石墨烯中，所述富電子官能團選自-O^-、-COO^-、-S^-、-NH^-、-SO₃^-中的至少一種。

3.如權利要求1所述的復合發(fā)光層，其特征在于，所述有機胺配體中，所述Y選自-O^-、-COO^-、-S^-、-NH^-、-SO₃^-、-NH₃⁺中的至少一種。

4.如權利要求1所述的復合發(fā)光層，其特征在于，所述有機胺配體中，所述-R₁N⁺(R₂)R₃為-(NH₃)⁺、-(R₁NH₂)⁺、-(R₁NHR₂)⁺、-R₁N⁺(R₂)R₃中的至少一種，其中R₁、R₂均為烴基。

5.如權利要求1所述的復合發(fā)光層，其特征在于，所述復合發(fā)光層中，所述有機胺配體與所述量子點的質量比為0.2～150：1。

6.如權利要求1-5任一項所述的復合發(fā)光層，其特征在于，所述有機胺配體的Y與所述量子點層中的量子點通過靜電吸附結合，和/或

所述有機胺配體的Y與所述量子點層中的量子點通過化學鍵結合。

7.一種QLED器件，包括依次層疊結合的襯底、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，其特征在于，所述發(fā)光層為權利要求1-6任一項所述的復合發(fā)光層。

8.如權利要求7所述的QLED器件，其特征在于，所述復合發(fā)光層的厚度為5-50nm。

9.一種QLED器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供氧化石墨烯溶液，在所述氧化石墨烯溶液中加入有機胺配體，混合得到氧化石墨烯/有機胺配體混合溶液；

提供襯底，在所述襯底上依次沉積陽極、空穴注入層、空穴傳輸層；

在所述空穴傳輸層上沉積所述氧化石墨烯/有機胺配體混合溶液，得到輔助功能層，在所述輔助功能層上沉積量子點層，所述輔助功能層與所述量子點層結合形成復合發(fā)光層，其中；所述輔助功能層中，所述氧化石墨烯和所述有機胺配體的質量比為1：0.001～1：0.5；

在所述復合發(fā)光層上依次沉積電子傳輸層和陰極。