[發(fā)明專利]太赫茲無(wú)跳線倒置共面波導(dǎo)單片電路封裝過(guò)渡結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710541114.0
• 申請(qǐng)日: 2017-07-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107317081B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-11-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張勇;陳亞培;徐銳敏;鄭權(quán);李驍;孫巖
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01P5/08
• 分類號(hào): H01P5/08
• 代理公司: 成都虹盛匯泉專利代理有限公司 51268
• 代理人: 王偉

1.一種太赫茲無(wú)跳線倒置共面波導(dǎo)單片電路封裝過(guò)渡結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括下腔體(1)、上腔體(2)和共面波導(dǎo)電路(3)，上腔體(2)封蓋在下腔體(1)上形成依次連通的矩形波導(dǎo)腔(4)、共面波導(dǎo)電路屏蔽腔(5)和單片電路屏蔽腔(6)；單片電路屏蔽腔(6)內(nèi)安裝有單片電路(61)，共面波導(dǎo)電路(3)安裝在共面波導(dǎo)電路屏蔽腔(5)內(nèi)，共面波導(dǎo)電路(3)與單片電路(61)相連；電磁信號(hào)從矩形波導(dǎo)腔(4)進(jìn)入，經(jīng)過(guò)共面波導(dǎo)電路(3)的處理后，從單片電路屏蔽腔(6)輸出；

所述共面波導(dǎo)電路(3)包括一個(gè)探針(31)、共面波導(dǎo)傳輸線(33)和介質(zhì)基片(34)；探針(31)與共面波導(dǎo)傳輸線(33)位于介質(zhì)基片(34)的同一表面上，探針(31)與共面波導(dǎo)傳輸線(33)通過(guò)探針阻抗匹配支節(jié)(32)相連；共面波導(dǎo)電路(3)安裝有探針(31)的一端位于共面波導(dǎo)電路屏蔽腔(5)內(nèi)，共面波導(dǎo)電路(3)安裝有共面波導(dǎo)傳輸線(33)的一端位于單片電路屏蔽腔(6)內(nèi)；

所述共面波導(dǎo)電路屏蔽腔(5)分為上屏蔽腔(52)和下屏蔽腔(51)，下屏蔽腔(51)的寬度窄于上屏蔽腔(52)；

所述單片電路(61)上設(shè)有標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試結(jié)構(gòu)(62)，共面波導(dǎo)電路(3)與標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試結(jié)構(gòu)(62)相連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太赫茲無(wú)跳線倒置共面波導(dǎo)單片電路封裝過(guò)渡結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述共面波導(dǎo)傳輸線(33)可以設(shè)置為多節(jié)漸變結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太赫茲無(wú)跳線倒置共面波導(dǎo)單片電路封裝過(guò)渡結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述介質(zhì)基片(34)為復(fù)合介質(zhì)基片或石英基片，其目的是降低傳輸損耗。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太赫茲無(wú)跳線倒置共面波導(dǎo)單片電路封裝過(guò)渡結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述共面波導(dǎo)電路(3)倒置固定于共面波導(dǎo)電路屏蔽腔(5)內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太赫茲無(wú)跳線倒置共面波導(dǎo)單片電路封裝過(guò)渡結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述矩形波導(dǎo)腔(4)靠近探針(31)端設(shè)有減高部分。