[發(fā)明專利]一種復(fù)合于M42鋼表面的碳化鈦納米墻及其制備方法和應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710539212.0 | 申請日: | 2017-07-04 |
| 公開(公告)號: | CN109207959B | 公開(公告)日: | 2021-02-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 馬付根;江南;王少龍;楊科 | 申請(專利權(quán))人: | 寧波晨鑫維克工業(yè)科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/32 | 分類號: | C23C16/32;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 上海一平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31266 | 代理人: | 陸鳳;馬莉華 |
| 地址: | 315201 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 復(fù)合 m42 表面 碳化 納米 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種復(fù)合于M42鋼表面的碳化鈦納米墻的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
1)提供M42高速鋼、碳源、鈦源和輔助氣體;
2)將所述M42高速鋼置于CVD爐內(nèi),在所述輔助氣體氣氛下,加熱CVD爐至沉積保溫溫度;所述沉積保溫溫度為970-980℃;
3)將所述碳源和所述鈦源通入所述經(jīng)加熱的CVD爐內(nèi),保溫第一時間段;步驟3)進(jìn)行涂層的沉積過程,且步驟3)中,所述輔助氣體和所述碳源的流量比為1-8;所述涂層為碳化鈦納米墻;
4)將所述CVD爐以第一降溫速率降溫至第二溫度,同時停止通入所述碳源和所述鈦源;所述第一降溫速率為1-10℃/min;
5)在所述CVD爐降溫至第二溫度后,停止通入所述輔助氣體,得到所述復(fù)合于M42鋼表面的碳化鈦納米墻;
所述碳化鈦納米墻呈片狀;
所述碳化鈦納米墻與M42鋼呈10-90°夾角;
單片所述納米墻的長度為0.5-3μm;
所述碳化鈦納米墻的厚度為10-500nm。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述碳源選自下組:甲烷、乙烷、丙烷、乙烯、丙烯、乙炔、或其組合;和/或
所述鈦源為四氯化鈦。
3.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述沉積保溫溫度為973-978℃。
4.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,步驟3)中,所述輔助氣體和所述碳源的流量比為2-7。
5.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,步驟3)中,所述第一時間段為10-80min。
6.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,步驟4)中,所述第一降溫速率為2-7℃/min。
7.一種復(fù)合材料,其特征在于,所述復(fù)合材料包含:
基材;和
復(fù)合于所述基材表面的涂層,所述涂層為碳化鈦納米墻;
并且所述復(fù)合材料是采用權(quán)利要求1所述的制備方法制得的。
8.如權(quán)利要求7所述的復(fù)合材料,其特征在于,所述碳化鈦納米墻的反射率為30-60%;和/或
所述碳化鈦納米墻的水接觸角為100-150°。
9.如權(quán)利要求7所述的復(fù)合材料,其特征在于,所述復(fù)合材料具有選自下組的一個或多個特征:
1)所述復(fù)合材料中,所述碳化鈦納米墻的表面密度為1-50片/um2;
2)所述碳化鈦納米墻中,單片所述納米墻的長度為0.5-3μm;
3)所述碳化鈦納米墻中,相鄰的納米墻之間是相互連接或者獨立存在的;
4)所述碳化鈦納米墻中,所述鈦元素的含量為50-70wt%,所述碳元素的含量為30-50wt%;
5)所述碳化鈦納米墻與基材的結(jié)合強(qiáng)度≥10N;
6)所述復(fù)合材料的最高使用溫度≥300℃。
10.一種吸光陶瓷制品或疏水陶瓷制品,其特征在于,所述制品包含權(quán)利要求7所述的復(fù)合材料或由權(quán)利要求7所述的復(fù)合材料制成。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于寧波晨鑫維克工業(yè)科技有限公司,未經(jīng)寧波晨鑫維克工業(yè)科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710539212.0/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





