[發明專利]制造硅異質結太陽能電池的方法與設備

有效

• 申請號: 201710537333.1
• 申請日: 2012-10-19
• 公開（公告）號: CN107142460B
• 公開（公告）日: 2019-09-27
• 發明（設計）人: S·盛;L·張;Z·袁;R·王;A·佐
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: C23C16/24
• 分類號: C23C16/24;C23C16/44;C23C16/458;C23C16/509;H01J37/32;H01L21/02;H01L31/0747;H01L31/18
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種用于在等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備中制造納米結晶硅層的方法，所述方法包含以下步驟：

在所述PECVD設備中定位一個或多個基板，所述PECVD設備包含：

多個壁，所述多個壁界定處理區域，其中所述多個壁包含多個側壁和底壁；

將所述處理區域加壓至0.5托與4托之間；

維持100℃至300℃之間的所述處理區域內的溫度；

將半導體前體氣體從氣源輸送至所述處理區域；

將摻雜劑前體氣體從所述氣源輸送至所述處理區域；以及

通過將非常高頻(VHF)功率輸送至所述半導體前體氣體和所述摻雜劑前體氣體在所述處理區域內產生等離子體，其中：

所產生的等離子體使第一層形成在所述一個或多個基板上；并且

所產生的等離子體使RF電流通過第一VHF接地片從基板支座流到接地的所述側壁，并使RF電流通過第二VHF接地片從遮蔽框架通過一個或多個承接塊流到接地的所述側壁，所述一個或多個承接塊設置在所述遮蔽框架下方。

2.如權利要求1所述的方法，其中將所述處理區域加壓在1托至2托之間。

3.如權利要求1所述的方法，其中維持所述處理區域內的溫度在120℃至250℃之間。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述VHF功率具有從20兆赫茲(MHz)至180MHz的頻率。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述VHF功率具有從40MHz至60MHz的頻率。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述第一層包含：通過變化所述半導體前體氣體對所述摻雜劑前體氣體的比率來形成漸變的半導體層。

7.如權利要求1所述的方法，其中所述摻雜劑前體氣體選自由磷化氫(PH₃)、砷化三氫(AsH₃)、乙硼烷(B₂H₆)、三甲基硼(TMB)(B(CH₃)₃)氣體以及三氟化硼(BF₃)所組成的群組。

8.一種用于在等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備中制造納米結晶硅層的方法，所述方法包含以下步驟：

在所述PECVD設備中定位一個或多個基板，所述PECVD設備包含：

多個壁，所述多個壁界定處理區域，其中所述多個壁包含多個側壁和底壁；

將所述處理區域加壓至0.5托與4托之間；

維持100℃至300℃之間的所述處理區域內的溫度；

將氫氣和硅烷氣體從氣源輸送至所述處理區域；

將摻雜劑前體氣體從所述氣源輸送至所述處理區域；以及

通過將非常高頻(VHF)功率輸送至所述氫氣、所述硅烷氣體和所述摻雜劑前體氣體在所述處理區域內產生等離子體，其中：

所產生的等離子體使第一層形成在所述一個或多個基板上；并且

所產生的等離子體使RF電流通過第一VHF接地片從基板支座流到接地的所述側壁，并使RF電流通過第二VHF接地片從遮蔽框架通過一個或多個承接塊流到接地的所述側壁，所述一個或多個承接塊設置在所述遮蔽框架下方，

其中所述第一VHF接地片和所述第二VHF接地片中的至少一者包含設置在兩個導電層之間的第一柔性層。