[發明專利]天線結構及其制備方法、超薄手機及其制備方法

在審

• 申請號: 201710537220.1
• 申請日: 2017-07-04
• 公開（公告）號: CN107369896A
• 公開（公告）日: 2017-11-21
• 發明（設計）人: 汪際軍
• 申請（專利權）人: 全普光電科技（上海）有限公司
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q1/52;H01Q1/24
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種天線結構，其特征在于，至少包括：

防串擾隔離層；

位于防串擾隔離層上的多個石墨烯薄膜天線圖案，用于接收和發射不同的信號；以及

防串擾隔離層具有凸起，凸起位于相鄰石墨烯薄膜天線圖案之間，凸起內部具有封閉的微空腔。

2.根據權利要求1所述的天線結構，其特征在于，所述凸起封閉環繞每個石墨烯薄膜天線圖案側壁設置。

3.根據權利要求1所述的天線結構，其特征在于，所述凸起由凸起主體、位于凸起主體內的微空腔和微空腔頂部的蓋帽構成；其中微空腔的頂部與凸起頂部齊平。

4.根據權利要求1所述的天線結構，其特征在于，所述微空腔的底部低于所述石墨烯薄膜天線圖案的底部。

5.根據權利要求1所述的天線結構，其特征在于，所述微空腔的橫截面尺寸的寬度不大于10nm。

6.根據權利要求1所述的天線結構，其特征在于，所述凸起的頂部拐角呈圓滑的曲線。

7.根據權利要求1所述的天線結構，其特征在于，在石墨烯薄膜天線圖案底部的所述防串擾隔離層內部還設置有一層封閉空腔夾層。

8.根據權利要求1所述的天線結構，其特征在于，所述防串擾隔離層底部設置沿多個石墨烯薄膜天線圖案排列方向的主饋線，每個所述石墨烯薄膜天線圖案底部對應的防串擾隔離層中設置有導電接觸孔，與每個所述石墨烯薄膜天線圖案底部的導電接觸孔相對應的主饋線上具有饋線接口，導電接觸孔一端與相應的石墨烯薄膜天線圖案相接觸，導電接觸孔的另一端與相應的饋線接口相連接，使得每個所述石墨烯薄膜天線圖案通過相應的導電接觸孔與主饋線相連接，且每個所述石墨烯薄膜天線圖案通過導電接觸孔和主饋線來接收和發送信號。

9.根據權利要求8所述的天線結構，其特征在于，所述導電接觸孔垂直于所述主饋線設置。

10.根據權利要求1所述的天線結構，其特征在于，多個所述石墨烯薄膜天線圖案的尺寸不相同，多個所述石墨烯薄膜天線圖案呈陣列排布且其尺寸按照從小到大順序排布，位于石墨烯薄膜天線圖案周圍的所述凸起之間的間距也隨著相應石墨烯薄膜天線圖案的尺寸變大或變小。

11.根據權利要求10所述的天線結構，其特征在于，多個所述石墨烯薄膜天線圖案分布呈鏤空封閉陣列。

12.根據權利要求11所述的天線結構，其特征在于，多個所述石墨烯薄膜天線圖案按照尺寸順時針或逆時針從小到大的順序排布，即“ABCD”型；或者，多個所述石墨烯薄膜天線圖案按照尺寸從小到大相間排布，即“ACBD”型。

13.根據權利要求1所述的天線結構，其特征在于，所述石墨烯薄膜天線圖案呈阿基米德螺旋型、對稱蝴蝶型、或多叉指型。

14.一種權利要求1所述的天線結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟01：提供第一層隔離層薄膜；

步驟02：利用光刻和刻蝕工藝，在第一層隔離層薄膜中刻蝕出多個溝槽，相鄰溝槽之間形成凸起；

步驟03：利用光刻和刻蝕工藝，在凸起中刻蝕出微空腔；

步驟04：在完成步驟03的第一層隔離層薄膜上再沉積第二層隔離層薄膜，第二層隔離層薄膜將微空腔頂部封閉住，從而使構成封閉的微空腔且第二層隔離層薄膜依多個溝槽而形成相應的凹陷區域，凹陷區域用于放置石墨烯薄膜天線圖案；所述第一層隔離層薄膜和所述第二層隔離層薄膜共同構成防串擾隔離層；

步驟05：在第二隔離層薄膜表面覆蓋一層石墨烯薄膜；

步驟06：采用刻蝕工藝，對石墨烯薄膜進行圖案化處理，從而在凹陷區域形成石墨烯薄膜天線圖案，并且去除凹陷區域之外的石墨烯薄膜。

15.根據權利要求14所述的天線結構的制備方法，其特征在于，步驟04中，在沉積另一層隔離層薄膜之后還包括：采用光刻和刻蝕工藝，保留微空腔頂部的第二隔離層薄膜且去除微空腔頂部所在平面上非微空腔頂部的第二隔離層薄膜，從而在微空腔頂部形成蓋帽。

16.根據權利要求14或15所述的天線結構的制備方法，其特征在于，所述步驟04之后還包括：對凸起的頂部拐角進行圓化處理，使得凸起的頂部拐角呈圓滑的曲線。