[發明專利]一種石墨烯摻雜的二氧化銥基多孔電極及其制備方法有效

申請號：	201710536518.0	申請日：	2017-07-04
公開（公告）號：	CN107359330B	公開（公告）日：	2020-05-08
發明（設計）人：	邵艷群;張帥;黃善鋒;王艷鴻;何建	申請（專利權）人：	福州大學
主分類號：	H01M4/36	分類號：	H01M4/36;H01M4/48;H01M4/583;H01G11/26;H01G11/32;H01G11/46
代理公司：	福州元創專利商標代理有限公司 35100	代理人：	蔡學俊;林捷
地址：	350108 福建省福州市***	國省代碼：	福建;35
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種石墨摻雜氧化基多電極及其制備方法
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【權利要求書】：

1.一種石墨烯摻雜的IrO₂基多孔電極的制備方法，其特征在于：具體制備步驟為：

按照銥載量0.4mg/cm²將氯銥酸和四氯化錫按金屬離子摩爾比7:3溶于無水乙醇，超聲混合均勻，靜置得金屬離子濃度為30wt%溶液；稱取0.4g/cm²的石墨烯加到上述混合液中，超聲混合均勻靜置；取該溶液涂覆在泡沫Ni板上，然后放在紅外光下烘烤至干燥，接著在380℃箱式爐中熱氧化10min后出爐空冷；完全冷至室溫后繼續涂敷-烘干-燒結-冷卻過程，反復多次直到達到所需涂覆銥載量0.4mg/cm²為止，最后一次在380℃恒溫燒結5h。

2.一種如權利要求1所述的方法制備的石墨烯摻雜的IrO₂基多孔電極。

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