[發(fā)明專利]改進的靜電放電器件及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710536427.7
• 申請日: 2017-07-04
• 公開（公告）號: CN107818975B
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林文杰;楊涵任;蘇郁迪
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

本發(fā)明的實施例提供了一種集成電路器件，包括：生長在襯底上的至少兩個外延生長的有源區(qū)，有源區(qū)放置第一柵極器件和第二柵極器件之間。集成電路器件包括位于兩個外延生長的有源區(qū)之間且位于在第一柵極器件和第二柵極器件之間的至少一個偽柵極，其中每個有源區(qū)在長度上是基本均勻的。在具有第一導(dǎo)電類型的第一阱上方形成第一柵極器件和第二器件，并且在具有第二導(dǎo)電類型的第二阱上方形成偽柵極。本發(fā)明的實施例還提供了一種用于形成靜電放電(ESD)器件的方法。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實施例總體涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及靜電放電器件及其形成方法。

背景技術(shù)

利用集成電路的電子器件易受靜電放電(ESD)的影響。靜電放電可以由持有器件或其他來源的人發(fā)生。靜電放電可以使大量的電流通過對這種高電流敏感的電路，從而損壞電路。為了降低對ESD損壞的易感性，集成電路通常包括使ESD遠離敏感電路的ESD器件。

ESD器件的一種類型涉及多個有源區(qū)，諸如位于加長的柵極器件之間的源極或漏極區(qū)。柵極器件用于晶體管的柵極。晶體管用作開關(guān)，當(dāng)檢測到諸如ESD的高電流時啟動。啟動開關(guān)允許ESD通過，以避免流過敏感電路。

在形成ESD器件中涉及的一個問題來自硅化物。當(dāng)形成晶體管器件時，硅化物材料通常在半導(dǎo)體-金屬結(jié)處使用，以促進有效的結(jié)。這是因為硅化物可相對較好地傳導(dǎo)電流。然而，期望硅化物不形成在與柵極相鄰的源極或漏極區(qū)上。如果在那里形成硅化物層，則流過源極和漏極區(qū)的電流將趨于主要穿過硅化物移動，這可能導(dǎo)致?lián)p壞，因為由高ESD電流產(chǎn)生的電流密度可能燒掉硅化物和周圍的材料。

當(dāng)通過外延生長工藝形成源漏極區(qū)時，產(chǎn)生了涉及形成ESD器件的另一個問題。外延生長工藝涉及在現(xiàn)有晶體上生長半導(dǎo)體晶體。當(dāng)以這種方式形成源極或漏極區(qū)時，區(qū)域的長度可以影響外延生長結(jié)構(gòu)的均勻性。如果該結(jié)構(gòu)與其他附近的結(jié)構(gòu)相比太長，則可以形成一組非均勻外延生長的結(jié)構(gòu)。這稱為負載效應(yīng)。因此，期望在沒有太多不利的負載效應(yīng)的情況下，制造ESD器件或利用柵極之間外延生長的有源區(qū)的其他器件。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種集成電路器件，包括：至少兩個外延生長的有源區(qū)，生長到襯底上，所述有源區(qū)放置在第一柵極器件和第二柵極器件之間；以及至少一個偽柵極，位于所述至少兩個外延生長的有源區(qū)之間且位于所述第一柵極器件和所述第二柵極器件之間，其中，每個所述有源區(qū)在長度上是基本均勻的；其中，在具有第一導(dǎo)電類型的第一阱上方形成所述第一柵極器件和所述第二器件，并且在具有第二導(dǎo)電類型的第二阱上方形成所述偽柵極。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于形成靜電放電(ESD)器件的方法，所述方法包括：在襯底上形成具有第一導(dǎo)電類型的第一阱；在所述第一阱內(nèi)形成第二阱，所述第二阱具有第二導(dǎo)電類型；在所述第一阱上方形成第一柵極器件和第二柵極器件；在所述第一柵極器件和所述第二柵極器件之間形成多個有源區(qū)，其中，所述多個有源區(qū)的每個在長度上是基本均勻的；以及在所述有源區(qū)之間的間隔內(nèi)形成偽柵極，所述偽柵極形成在所述第二阱上方。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種集成電路器件，包括：至少兩個外延生長的有源區(qū)，設(shè)置襯底上，所述有源區(qū)放置在第一柵極器件和第二柵極器件之間；以及至少一個偽柵極，位于所述至少兩個外延生長的有源區(qū)之間且位于所述第一柵極器件和所述第二柵極器件之間，其中，每個有源區(qū)在長度上是基本均勻的；其中，在具有第一導(dǎo)電類型的第一阱上方形成所述第一柵極器件和所述第二器件，并且在第二阱和第三阱之間的間隔上方形成所述偽柵極，所述第二阱和所述第三阱具有第二導(dǎo)電類型。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳地理解本發(fā)明的各個方面。應(yīng)該注意，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增大或減小。

圖1是根據(jù)本文所描述的原理的一個實例示出在柵極之間外延生長的示例性頂視圖的圖。