[發明專利]一種高儲能密度微晶玻璃電介質材料的制備工藝

在審

• 申請號: 201710536129.8
• 申請日: 2017-07-04
• 公開（公告）號: CN107129155A
• 公開（公告）日: 2017-09-05
• 發明（設計）人: 徐仙峰
• 申請（專利權）人: 合肥擇浚電氣設備有限公司
• 主分類號: C03C10/16
• 分類號: C03C10/16;C03C17/10;C03B19/02
• 代理公司: 合肥道正企智知識產權代理有限公司34130
• 代理人: 武金花

1.一種高儲能密度微晶玻璃電介質材料的制備工藝，其特征在于，包括以下步驟：

(1)將原料混合通過行星球磨機研磨，得粉料；所述原料按重量份計包括以下成分：SiO₂25-45份、BaCO₃ 20-30份、TiO₂ 10-20份、SrCO₃5-15份、H₃BO₃5-15份、Nb₂O₅2-8份、MnO₂1-10份和BaF₂ 1-5份；

(2)將所述粉料輸送至電爐中熔煉成熔融液，熔煉溫度為1380-1520℃；

(3)將所述熔融液澆注至預熱模具中，預熱溫度為570-610℃，澆注完畢后再進行三階段退火處理，切割處理后得玻璃材料；

(4)對所述玻璃材料進行受控晶化處理，具體是先在760-780℃保溫1-2h成核，然后在860-880℃保溫1-2h，得微晶玻璃電介質材料半成品；

(5)將所述微晶玻璃電介質材料半成品經過絲網印刷涂覆粘結性能和導電性能良好的中溫銀漿料，在560-580℃溫度下燒結固化形成金屬銀電極后即可。

2.根據權利要求1所述的一種高儲能密度微晶玻璃電介質材料的制備工藝，其特征在于，所述原料按重量份計包括以下成分：SiO₂30-40份、BaCO₃ 22-38份、TiO₂ 12-18份、SrCO₃8-12份、H₃BO₃8-12份、Nb₂O₅4-6份、MnO₂ 1-5份和BaF₂ 1-3份。

3.根據權利要求2所述的一種高儲能密度微晶玻璃電介質材料的制備工藝，其特征在于，所述原料按重量份計包括以下成分：SiO₂35份、BaCO₃ 25份、TiO₂ 15份、SrCO₃ 10份、H₃BO₃ 10份、Nb₂O₅5份、MnO₂ 3份和BaF₂ 2份。

4.根據權利要求1所述的一種高儲能密度微晶玻璃電介質材料的制備工藝，其特征在于，所述粉料的研磨粒徑≤1mm。

5.根據權利要求1所述的一種高儲能密度微晶玻璃電介質材料的制備工藝，其特征在于，所述電爐的升溫速率為80-100℃/min，熔煉時間為1-2h。

6.根據權利要求1所述的一種高儲能密度微晶玻璃電介質材料的制備工藝，其特征在于，所述退火處理一階段退火溫度為480-520℃，保溫時間為20-30min；退火處理二階段退火溫度為520-560℃，保溫時間為25-35min；退火處理三階段退火溫度為580-620℃，保溫時間為30-40min。

7.根據權利要求1所述的一種高儲能密度微晶玻璃電介質材料的制備工藝，其特征在于，所述微晶玻璃電介質材料主要組分摩爾比為SiO₂:BaO:TiO₂:SrO:B₂O₃:Nb₂O₅:MnO₂＝(0.25～0.45):(0.20～0.30):(0.10～0.20):(0.05～0.15):(0.05～0.15):(0.02～0.08):(0.01～0.10)，摻雜BaF₂的摩爾數占組分總摩爾數的3～7％。

8.根據權利要求7所述的一種高儲能密度微晶玻璃電介質材料的制備工藝，其特征在于，所述微晶玻璃電介質材料主要組分摩爾比為SiO₂:BaO:TiO₂:SrO:B₂O₃:Nb₂O₅:MnO₂＝(0.30～0.40):(0.22～0.38):(0.12～0.18):(0.08～0.12):(0.08～0.12):(0.04～0.06):(0.01～0.05)，摻雜BaF₂的摩爾數占組分總摩爾數的4～6％。