[發明專利]改性介孔金屬氧化物納米顆粒及其制備方法和應用

有效

• 申請號: 201710534984.5
• 申請日: 2017-07-03
• 公開（公告）號: CN109205553B
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發明（設計）人: 程陸玲;楊一行
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;B82Y30/00;B82Y40/00;A01N59/00;A01P1/00
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 黃志云

1.一種改性介孔金屬氧化物納米顆粒，其特征在于，所述改性介孔金屬氧化物納米顆粒由介孔金屬氧化物和與所述介孔金屬氧化物表面的O^2-共享電子云并共價結合的鹵素分子組成，所述介孔金屬氧化物的介孔大小為1-10nm，所述介孔金屬氧化物的比表面積為150-300m²/g。

2.如權利要求1所述的改性介孔金屬氧化物納米顆粒，其特征在于，所述介孔金屬氧化物為介孔氧化鋁納米顆粒、介孔二氧化鈦納米顆粒、介孔氧化鈰納米顆粒、介孔氧化鎂納米顆粒、介孔氧化鈣納米顆粒。

3.如權利要求1或2所述的改性介孔金屬氧化物納米顆粒，其特征在于，所述鹵素分子為鹵素單質分子和/或鹵間化合物分子，其中，所述鹵素單質分子為Cl₂、Br₂、I₂、F₂中的至少一種，所述鹵間化合物分子包括ICl、IBr、ICl₃中的至少一種，所述介孔金屬氧化物與所述鹵素分子的比例為100mg:(0.01-0.1)mol。

4.一種如權利要求1-3任一項所述改性介孔金屬氧化物納米顆粒的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

將高分子聚合物溶解在極性有機溶劑中，加入金屬鹵化物溶液，加入目標介孔金屬氧化物的陽離子前驅體反應后，經離心、干燥、煅燒，制備得到介孔金屬氧化物；

將所述介孔金屬氧化物置于流動的鹵氣環境中，得到改性介孔金屬氧化物納米顆粒。

5.如權利要求4所述的改性介孔金屬氧化物納米顆粒的制備方法，其特征在于，反應時間為5-30小時，煅燒溫度為300-800℃。

6.如權利要求4所述的改性介孔金屬氧化物納米顆粒的制備方法，其特征在于，所述金屬鹵化物溶液為氯化鈉溶液、溴化鈉溶液、氟化鈉溶液、碘化鈉溶液、氯化鈣溶液、溴化鈣溶液、氟化鈣溶液、碘化鈣溶液中的至少一種；和/或

所述金屬鹵化物溶液的濃度為0.05-0.5mmol/ml。

7.如權利要求4-6任一項所述的改性介孔金屬氧化物納米顆粒的制備方法，其特征在于，所述介孔金屬氧化物為鈦金屬氧化物、鋁金屬氧化物、鈣金屬氧化物、鈰金屬氧化物、鎂金屬氧化物中的一種，其中，所述鈦金屬氧化物的陽離子前驅體包括鈦酸丁酯、鈦酸丙酯、鈦酸乙酯中的至少一種；所述鋁金屬氧化物的陽離子前驅體包括鋁酸丁酯、鋁酸乙酯、鋁酸丙酯中的至少一種；所述鈣金屬氧化物的陽離子前驅體包括鈣酸丁酯、鈣酸乙酯、鈣酸丙酯中的至少一種；所述鈰金屬氧化物的陽離子前軀體包括硝酸鈰、硫酸鈰中的至少一種；所述的鎂金屬氧化物的陽離子前軀體包括氫氧化鎂、氯化鎂中的至少一種；和/或

所述極性有機溶劑為乙醇、甲醇、丙酮中的至少一種；和/或

所述高分子聚合物包括聚二醇類，所述聚二醇類包括聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇中的至少一種；和/或

所述陽離子前驅體、高分子聚合物、金屬鹵化物溶液的用量滿足：陽離子前驅體、高分子聚合物、金屬鹵化物的比例為(0.05～0.2)mmol:(20～80)ml:(0.01～0.2)mmol。

8.如權利要求4-6任一項所述的改性介孔金屬氧化物納米顆粒的制備方法，其特征在于，所述鹵氣為鹵素單質和/或鹵間化合物，其中，所述鹵素單質包括Cl₂、Br₂、I₂、F₂，所述鹵間化合物包括ICl、IBr、ICl₃,所述介孔金屬氧化物置于流動的鹵氣環境中的時間為24～36小時。

9.一種改性介孔金屬氧化物納米顆粒的應用，其特征在于，將權利要求1-3任一項所述改性介孔金屬氧化物納米顆粒用作生物殺菌材料。

10.一種改性介孔金屬氧化物納米顆粒的應用，其特征在于，將權利要求1-3任一項所述改性介孔金屬氧化物納米顆粒用作半導體發光器件的電子傳輸層材料。