[發明專利]半導體器件的缺陷結構定位方法

有效

• 申請號: 201710534678.1
• 申請日: 2017-07-03
• 公開（公告）號: CN109216220B
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 崔志強;洪海燕
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種半導體器件的缺陷結構定位方法，包括：

對待測半導體器件進行電學測試，獲取第一電性曲線；

根據所述第一電性曲線獲取缺陷結構所在的異常層；

去除位于所述異常層上的部分疊層結構；其中，所述部分疊層結構與所述異常層之間保留預設層數的中間層；

采用亮點定位獲取所述缺陷結構所在的目標位置區域；

對所述缺陷結構進行剖面分析；其中，所述采用亮點定位獲取所述缺陷結構所在的目標位置區域之前，還包括：

對所述中間層進行電學測試，獲取第二電性曲線；

判斷所述第二電性曲線是否與所述第一電性曲線一致；

若所述第二電性曲線與所述第一電性曲線一致，則進行亮點定位并判斷所述亮點是否集中，若不集中則去除位于所述異常層上的部分所述中間層；所述去除位于所述異常層上的部分中間層之后，還包括：

對保留的所述中間層進行電學測試，獲取第三電性曲線；

判斷所述第三電性曲線是否與所述第一電性曲線一致，若一致，則進行所述采用亮點定位獲取所述缺陷結構所在的目標位置區域的步驟。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的缺陷結構定位方法，其特征在于，

當亮點的聚焦度大于預設值時，則所述亮點集中；

當亮點的聚焦度小于預設值時，則所述亮點不集中。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的缺陷結構定位方法，其特征在于，所述去除位于所述異常層上的部分疊層結構，包括：

采用等離子刻蝕去除所述疊層結構中最外層的鈍化層；

采用手動平面拋光的方式逐層剝離所述疊層結構中且位于所述鈍化層下方的多層交錯疊加的介質層和金屬層。

4.根據權利要求3所述的半導體器件的缺陷結構定位方法，其特征在于，采用手動平面拋光的方式逐層剝離所述疊層結構中且位于所述鈍化層下方的多層交錯疊加的介質層和金屬層，包括：

調整施加給所述待測半導體器件的壓力值與施壓位置。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的缺陷結構定位方法，其特征在于，所述預設層數的層數范圍為2~4層。

6.根據權利要求1所述的半導體器件的缺陷結構定位方法，其特征在于，所述采用亮點定位獲取所述缺陷結構所在的目標位置區域，包括：

采用發光顯微鏡定位出所述缺陷結構的目標位置區域。

7.根據權利要求1所述的半導體器件的缺陷結構定位方法，其特征在于，所述采用亮點定位獲取所述缺陷結構所在的目標位置區域，包括：

采用光致阻值變化顯微鏡定位出所述缺陷結構的目標位置區域。

8.根據權利要求1所述的半導體器件的缺陷結構定位方法，其特征在于，所述對所述缺陷結構進行剖面分析，包括：

采用聚焦離子束對所述缺陷結構進行剖面分析。

9.根據權利要求1所述的半導體器件的缺陷結構定位方法，其特征在于，所述半導體器件為包括多層金屬層以及連通相鄰兩層所述金屬層之間的通孔鏈。

10.根據權利要求3所述的半導體器件的缺陷結構定位方法，其特征在于，所述去除位于所述異常層上的部分疊層結構，還包括：

保留的所述中間層的最外層為金屬層，所述金屬層作為測試焊盤；同時保留與所述測試焊盤對應連續設置的連通任意相鄰金屬層之間的接觸孔結構。