[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其制作方法、顯示基板及顯示裝置

在審

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• 申請日: 2017-07-03
• 公開（公告）號: CN107331709A
• 公開（公告）日: 2017-11-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 盧鑫泓;王珂;胡合合
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336;H01L27/12
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11243
• 代理人: 黃燦,張博

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示基板及顯示裝置。

背景技術(shù)

近年，隨著AR(Augmented Reality，增強現(xiàn)實技術(shù))/VR(Virtual Reality，虛擬現(xiàn)實技術(shù))顯示的爆發(fā)式發(fā)展，超高PPI(像素密度)(≥1000PPI)顯示基板技術(shù)的開發(fā)正逐漸成為顯示技術(shù)的主流方向之一。但是現(xiàn)有的底柵型薄膜晶體管和背溝道刻蝕型薄膜晶體管的尺寸都比較大，不適用于超高PPI的顯示基板。垂直結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的尺寸相比于底柵型薄膜晶體管和背溝道刻蝕型薄膜晶體管大大減小，展現(xiàn)了垂直結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管在超高PPI顯示基板中的應(yīng)用前景。

但是如圖1所示的現(xiàn)有垂直結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管中，可以看出，漏電極5僅有一小部分與有源層6相接觸，相比于底柵型薄膜晶體管和背溝道刻蝕型薄膜晶體管，漏電極5與有源層6的接觸面積較小，將會影響薄膜晶體管的性能，導(dǎo)致顯示基板的驅(qū)動功耗增加。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示基板及顯示裝置，能夠改善垂直結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的性能，進而降低顯示基板的驅(qū)動功耗。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實施例提供技術(shù)方案如下：

一方面，提供一種薄膜晶體管，包括位于襯底基板上的第一極、有源層、第二極、柵絕緣層和柵電極，所述第一極上設(shè)置有間隔層，所述間隔層未完全覆蓋所述第一極，所述有源層包括位于所述間隔層上的第一部分和位于所述第一極上的第二部分，所述第二極位于所述有源層的第一部分上，其中，所述第一極為源電極和漏電極中的其中一個，所述第二極為源電極和漏電極中的另外一個。

進一步地，所述柵絕緣層位于所述有源層上，所述柵電極位于所述柵絕緣層上，所述第二極在所述襯底基板上的正投影與所述柵電極在所述襯底基板上的正投影不存在重疊區(qū)域。

進一步地，所述薄膜晶體管具體包括：

位于襯底基板上的所述第一極；

位于所述第一極上的所述間隔層；

位于所述第一極和所述間隔層上的所述有源層；

位于所述有源層的第一部分上的所述第二極；

位于所述有源層上的所述柵絕緣層，所述柵絕緣層與所述第二極相距一定距離；

位于所述柵絕緣層上的所述柵電極。

進一步地，所述間隔層的厚度不小于

本發(fā)明實施例還提供了一種顯示基板，包括如上所述的薄膜晶體管。

本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的顯示基板。

本發(fā)明實施例還提供了一種薄膜晶體管的制作方法，包括：

在襯底基板上形成薄膜晶體管的第一極；

在所述第一極上形成間隔層，所述間隔層未完全覆蓋所述第一極；

形成薄膜晶體管的有源層，所述有源層包括位于所述間隔層上的第一部分和位于所述第一極上的第二部分；

在所述有源層的第一部分上形成薄膜晶體管的第二極；

其中，所述第一極為源電極和漏電極中的其中一個，所述第二極為源電極和漏電極中的另外一個。

進一步地，還包括：

在所述有源層上形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成薄膜晶體管的柵電極，所述第二極在所述襯底基板上的正投影與所述柵電極在所述襯底基板上的正投影不存在重疊區(qū)域。

進一步地，通過一次構(gòu)圖工藝形成所述第一極和所述間隔層。

進一步地，通過一次構(gòu)圖工藝同時形成所述柵電極和所述第二極。

本發(fā)明的實施例具有以下有益效果：

上述方案中，有源層包括位于間隔層上的第一部分和位于第一極上的第二部分，且第二極位于有源層的第一部分上，這樣相比于現(xiàn)有垂直結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，能夠提高第一極以及第二極與有源層的接觸面積，改善垂直結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的性能，進而降低顯示基板的驅(qū)動功耗。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有垂直結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為現(xiàn)有背溝道刻蝕型薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為現(xiàn)有頂柵型薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4-圖14為本發(fā)明實施例薄膜晶體管的制作流程示意圖。

附圖標記

1 襯底基板2 緩沖層3 源電極 4 間隔層

5 漏電極6 有源層7 柵絕緣層 8 柵電極

9 層間絕緣層10 光刻膠 41 間隔層過渡圖形

81 導(dǎo)電層

具體實施方式