[發(fā)明專利]光學(xué)臨近效應(yīng)的修正方法及系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710534159.5 | 申請日: | 2017-07-03 |
| 公開(公告)號: | CN109212889B | 公開(公告)日: | 2021-10-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 萬金垠 | 申請(專利權(quán))人: | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/36 | 分類號: | G03F1/36 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 鄧云鵬 |
| 地址: | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光學(xué) 臨近 效應(yīng) 修正 方法 系統(tǒng) | ||
1.一種光學(xué)臨近效應(yīng)的修正方法,包括:
對設(shè)計(jì)圖形的外邊進(jìn)行解析分割獲得用于處理的片段;
獲取所述用于處理的片段的線條端的鄰邊間距,當(dāng)鄰邊間距不大于安全間距A時,不進(jìn)行目標(biāo)點(diǎn)的重設(shè),當(dāng)所述鄰邊間距大于預(yù)設(shè)的安全間距時,將位于所述線條端的鄰邊上的目標(biāo)點(diǎn)向外移動以重新設(shè)置鄰邊上的目標(biāo)點(diǎn)的位置;當(dāng)所述鄰邊間距大于預(yù)設(shè)的安全間距A且大于預(yù)設(shè)的線條端鄰邊間距閾值C時,所述目標(biāo)點(diǎn)向外移動的距離Y為目標(biāo)點(diǎn)能夠移動的最大距離B,且C-A≥B;當(dāng)所述鄰邊間距位于A與C之間時,距離Y從0到B之間線性變化或曲線變化;所述重新設(shè)置鄰邊上的目標(biāo)點(diǎn)的位置包括重新設(shè)置與所述線條端相鄰的一條或兩條鄰邊上的目標(biāo)點(diǎn),以更加靠近設(shè)計(jì)圖形的目標(biāo)位置;
使用鄰邊上新的目標(biāo)點(diǎn)和線條端的目標(biāo)點(diǎn)進(jìn)行線條端的修正。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)臨近效應(yīng)的修正方法,其特征在于,所述鄰邊上的目標(biāo)點(diǎn)向外移動的距離Y和鄰邊間距X的關(guān)系為:
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)臨近效應(yīng)的修正方法,其特征在于,所述修正方法用于0.18微米以下工藝。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)臨近效應(yīng)的修正方法,其特征在于,所述使用鄰邊上新的目標(biāo)點(diǎn)和線條端的目標(biāo)點(diǎn)進(jìn)行線條端的修正的步驟具體包括:根據(jù)目標(biāo)點(diǎn)的模擬誤差,調(diào)整設(shè)計(jì)圖形,直到根據(jù)調(diào)整后的設(shè)計(jì)圖形生成的模擬光刻結(jié)果符合設(shè)計(jì)目標(biāo)。
5.一種光學(xué)臨近效應(yīng)的修正系統(tǒng),其特征在于,包括:
分割模塊,用于對設(shè)計(jì)圖形的外邊進(jìn)行解析分割獲得用于處理的片段;
目標(biāo)點(diǎn)重設(shè)模塊,用于獲取所述用于處理的片段的線條端的鄰邊間距,當(dāng)鄰邊間距不大于安全間距A時,不進(jìn)行目標(biāo)點(diǎn)的重設(shè),當(dāng)所述鄰邊間距大于預(yù)設(shè)的安全間距時,將位于所述線條端的鄰邊上的目標(biāo)點(diǎn)向外移動以重新設(shè)置鄰邊上的目標(biāo)點(diǎn)的位置;當(dāng)所述鄰邊間距大于預(yù)設(shè)的安全間距A且大于預(yù)設(shè)的線條端鄰邊間距閾值C時,所述目標(biāo)點(diǎn)向外移動的距離Y為目標(biāo)點(diǎn)能夠移動的最大距離B,且C-A≥B;當(dāng)所述鄰邊間距位于A與C之間時,距離Y從0到B之間線性變化或曲線變化;所述重新設(shè)置鄰邊上的目標(biāo)點(diǎn)的位置包括重新設(shè)置與所述線條端相鄰的一條或兩條鄰邊上的目標(biāo)點(diǎn),以更加靠近設(shè)計(jì)圖形的目標(biāo)位置;
修正模塊,使用鄰邊上新的目標(biāo)點(diǎn)和線條端的目標(biāo)點(diǎn)進(jìn)行線條端的修正。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光學(xué)臨近效應(yīng)的修正系統(tǒng),其特征在于,所述目標(biāo)點(diǎn)重設(shè)模塊在重設(shè)目標(biāo)點(diǎn)的位置時,所述鄰邊上的目標(biāo)點(diǎn)向外移動的距離Y和鄰邊間距X的關(guān)系為:
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光學(xué)臨近效應(yīng)的修正系統(tǒng),其特征在于,所述修正系統(tǒng)用于0.18微米以下工藝。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光學(xué)臨近效應(yīng)的修正系統(tǒng),其特征在于,所述修正模塊具體用于:根據(jù)目標(biāo)點(diǎn)的模擬誤差,調(diào)整設(shè)計(jì)圖形,直到根據(jù)調(diào)整后的設(shè)計(jì)圖形生成的模擬光刻結(jié)果符合設(shè)計(jì)目標(biāo)。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
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