[發明專利]制造半導體裝置的方法及半導體裝置制造設備

有效

• 申請號: 201710533807.5
• 申請日: 2017-07-03
• 公開（公告）號: CN107578995B
• 公開（公告）日: 2023-07-11
• 發明（設計）人: 林載順;樸圭熙;曹侖廷;李炫錫;趙基熙
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/285
• 分類號: H01L21/285;H01L21/67;H10B12/00
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 劉培培;黃隸凡

1.一種制造半導體裝置的方法，其特征在于，包括：

提供襯底；以及

利用以下工序在所述襯底上形成薄膜，所述工序包括：

將抑制氣體饋送至所述襯底上；

饋送源氣體；

饋送反應氣體；以及

饋送包括惰性氣體的吹掃氣體，

其中所述抑制氣體抑制所述源氣體被所述襯底物理吸附，

所述源氣體包括鈦類化合物，

所述反應氣體包括氮化物類化合物，

所述抑制氣體包括烷基鹵化物、烯基鹵化物、炔基鹵化物、烯烴及炔烴中的至少一種，

所述烷基鹵化物、所述烯基鹵化物、所述炔基鹵化物、所述烯烴及所述炔烴各自包含含有1至10個碳原子的烴基，

所述烷基鹵化物、所述烯基鹵化物及所述炔基鹵化物各自進一步包含1至10個鹵素原子。

2.如權利要求1所述的制造半導體裝置的方法，其特征在于，所述抑制氣體不包括氧及氮，以及不與所述源氣體反應。

3.如權利要求1所述的制造半導體裝置的方法，其特征在于，所述饋送所述抑制氣體包括在所述饋送所述源氣體之前或之后，饋送所述抑制氣體。

4.如權利要求1所述的制造半導體裝置的方法，其特征在于，所述饋送所述抑制氣體包括在所述饋送所述反應氣體之后，饋送所述抑制氣體。

5.如權利要求1所述的制造半導體裝置的方法，其特征在于，

所述吹掃氣體包括第一吹掃氣體、第二吹掃氣體以及第三吹掃氣體，以及

所述饋送所述吹掃氣體包括在所述饋送所述抑制氣體之后饋送所述第一吹掃氣體，在所述饋送所述源氣體之后饋送所述第二吹掃氣體，以及在所述饋送所述反應氣體之后饋送所述第三吹掃氣體。

6.如權利要求1所述的制造半導體裝置的方法，其特征在于，所述抑制氣體是與所述源氣體一起饋送的。

7.如權利要求1所述的制造半導體裝置的方法，其特征在于，所述抑制氣體是與所述反應氣體一起饋送的。

8.一種制造半導體裝置的方法，其特征在于，包括：

將半導體裝置的中間結構支撐于處理腔室中，所述中間結構具有上表面以及在其中從所述上表面延伸由此具有一定縱橫比的開口，其中所述中間結構包含界定所述開口的底部的內部底表面以及界定所述開口的側面的內部側表面；以及

在所述中間結構上，包含在所述中間結構的所述上表面上及所述內部底表面上保形地形成具有基本上均一的厚度的膜的膜形成工序，

所述膜形成工序包括：

將源氣體饋送至所述處理腔室中，所述源氣體是所述膜的前驅物以及所述源氣體的至少一部分在所述中間結構的所述上表面及所述內部底表面處被所述中間結構吸附，

將反應氣體饋送至所述處理腔室中，所述反應氣體是所述膜的前驅物及與所述源氣體發生化學反應，以及

將抑制氣體饋送至所述處理腔室中，所述抑制氣體不是所述膜的前驅物，不與所述源氣體反應，以及所述抑制氣體的至少一部分被所述中間結構的所述上表面及所述內部底表面吸附，以及

將惰性氣體饋送至所述處理腔室中以吹掃所述處理腔室的在所述處理腔室中的氣體的至少一部分，其中所述惰性氣體的所述饋送是在所述膜形成工序中在所述源氣體已經饋送至所述處理腔室之后的一個或多個點進行，

其中所述源氣體包括鈦類化合物，

所述反應氣體包括氮化物類化合物，

所述抑制氣體包括烷基鹵化物、烯基鹵化物、炔基鹵化物、烯烴及炔烴中的至少一種，

所述烷基鹵化物、所述烯基鹵化物、所述炔基鹵化物、所述烯烴及所述炔烴各自包含含有1至10個碳原子的烴基，

所述烷基鹵化物、所述烯基鹵化物及所述炔基鹵化物各自進一步包含1至10個鹵素原子。

9.如權利要求8所述的制造半導體裝置的方法，其特征在于，所述膜形成工序包括在所述中間結構已裝載到所述處理腔室中之后及在任何所述源氣體、任何所述反應氣體及任何所述惰性氣體被饋送至所述處理腔室中之前，將所述抑制氣體饋送至所述處理腔室中的循環。