[發明專利]一種電磁仿真中斜口面激勵源的生成方法

在審

• 申請號: 201710533796.0
• 申請日: 2017-07-03
• 公開（公告）號: CN109214021A
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發明（設計）人: 蔣尋涯;王翔;姚佳;韓文達;朱炳琪;張德生;趙英燕;許秀科
• 申請（專利權）人: 上海東峻信息科技有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 上海宏京知識產權代理事務所(普通合伙) 31297
• 代理人: 趙霞

1.一種電磁仿真中斜口面激勵源的生成方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：在電磁仿真軟件中建立全局坐標系，在該全局坐標系的中心位置建立預設形狀大小的口面；

步驟2：在所述全局坐標系中的所述口面上創建局部坐標系，在該局部坐標系中設置該口面的電流密度分布表達方式，所述口面的電流密度分布在所述局部坐標系下的表達方式由電流密度空間分布和電流密度時間分布兩種方式組成；

步驟3：選取所述全局坐標系中的任意一個坐標軸作為第一旋轉軸，將所述口面繞第一旋轉軸旋轉，再選取所述局部坐標系中的任意一個坐標軸作為第二旋轉軸，然后將該口面繞第二旋轉軸旋轉完成該口面旋轉，最后記錄在所述全局坐標系和所述局部坐標系中的旋轉角度；

步驟4：計算所述口面在所述旋轉角度下的關聯所述全局坐標系和所述局部坐標系的旋轉矩陣，并通過該旋轉矩陣計算出該口面上任意點在所述全局坐標系下和所述局部坐標系下的坐標對應關系，再通過該旋轉矩陣計算出步驟2中電流密度分布對應在所述全局坐標系下的電流密度分布的表達方式；

步驟5：在該電磁仿真軟件中，將該口面進行空間網格離散處理，并根據在所述全局坐標系下的電流密度分布表達方式生成電流分布表達方式，最終形成斜口面激勵源。

2.如權利要求1所述的一種電磁仿真中斜口面激勵源的生成方法，其特征在于，所述口面的形狀為圓形或矩形或三角形。

3.如權利要求1所述的一種電磁仿真中斜口面激勵源的生成方法，其特征在于，所述口面的形狀為正多邊形，所述正多邊形的邊數小于等于32。

4.如權利要求1所述的一種電磁仿真中斜口面激勵源的生成方法，其特征在于，所述口面的電流密度空間分布在所述局部坐標系下的表達方式是均勻分布、高斯分布、自定義函數分布或外部導入型分布中的任一種。

5.如權利要求1所述的一種電磁仿真中斜口面激勵源的生成方法，其特征在于，所述口面的電流密度時間分布在所述局部坐標系下的表達方式是余弦波函數、高斯脈沖函數、上升沿函數、下降沿函數、自定義函數或導入型中的任一種。

6.如權利要求1所述的一種電磁仿真中斜口面激勵源的生成方法，其特征在于，所述口面在所述全局坐標系下旋轉角度的范圍為0度到360度，包括0度和360度；所述口面在所述局部坐標系下旋轉角度的范圍為負180度到正180度，包括負180度和正180度。

7.如權利要求1所述的一種電磁仿真中斜口面激勵源的生成方法，其特征在于，所述網格離散處理是六面體網格離散處理。

8.如權利要求1所述的一種電磁仿真中斜口面激勵源的生成方法，其特征在于，所述網格離散處理是四面體網格離散處理。