[發(fā)明專利]一種基于紋波預(yù)放大的全集成低壓差線性穩(wěn)壓器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710533403.6
• 申請(qǐng)日: 2017-07-03
• 公開（公告）號(hào): CN107168453B
• 公開（公告）日: 2018-07-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 明鑫;張家豪;張文林;高笛;張宣;王卓;張波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué);電子科技大學(xué)廣東電子信息工程研究院
• 主分類號(hào): G05F3/26
• 分類號(hào): G05F3/26
• 代理公司: 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51232
• 代理人: 敖歡;葛啟函

1.一種基于紋波預(yù)放大的全集成低壓差線性穩(wěn)壓器，包括誤差放大器、功率管(M_P)、密勒電容(C_L)、第一分壓電阻(R_f1)、第二分壓電阻(R_f2)和補(bǔ)償電路，

功率管(M_P)的柵極連接誤差放大器的輸出端，其源極連接輸入電壓(V_IN)，其漏極通過(guò)第一分壓電阻(R_f1)和第二分壓電阻(R_f2)的串聯(lián)結(jié)構(gòu)后接地(GND)，所述第一分壓電阻(R_f1)和第二分壓電阻(R_f2)的串聯(lián)點(diǎn)輸出反饋電壓(V_fb)，密勒電容(C_L)接在功率管(M_P)的漏極和地(GND)之間；

其特征在于，補(bǔ)償電路接在功率管(M_P)的漏極和第一分壓電阻(R_f1)與第二分壓電阻(R_f2)的串聯(lián)點(diǎn)之間；

所述基于紋波預(yù)放大的全集成低壓差線性穩(wěn)壓器還包括跨導(dǎo)放大器和跨阻放大器，跨導(dǎo)放大器的正向輸入端連接基準(zhǔn)電壓(Vref)，其負(fù)向輸入端連接反饋電壓(V_fb)，其輸出端連接跨阻放大器的負(fù)向輸入端和誤差放大器的負(fù)向輸入端，跨阻放大器的正向輸入端接地(GND)，其輸出端接誤差放大器的正向輸入端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于紋波預(yù)放大的全集成低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，所述跨導(dǎo)放大器包括第一NMOS管(M_N1)、第二NMOS管(M_N2)、第三NMOS管(M_N3)、第四NMOS管(M_N4)、第一PMOS管(M_P1)、第二PMOS管(M_P2)、第三PMOS管(M_P3)、第四PMOS管(M_P4)和第五PMOS管(M_P5)，

第二PMOS管(M_P2)的柵極作為所述跨導(dǎo)放大器的負(fù)向輸入端，第三PMOS管(M_P3)的柵極作為所述跨導(dǎo)放大器的正向輸入端；

第一PMOS管(M_P1)的漏極連接第二PMOS管(M_P2)和第三PMOS管(M_P3)的源極，其柵極接偏置電壓(V_bias)；

第一NMOS管(M_N1)和第三NMOS管(M_N3)構(gòu)成一對(duì)電流鏡，鏡像比為1：K₁；第二NMOS管(M_N2)和第四NMOS管(M_N4)構(gòu)成一對(duì)電流鏡，鏡像比為1：K₁；

第一NMOS管(M_N1)的柵漏短接并連接第二PMOS管(M_P2)的漏極和第三NMOS管(M_N3)的柵極；第二NMOS管(M_N2)的柵漏短接并連接第三PMOS管(M_P3)的漏極和第四NMOS管(M_N4)的柵極；第五PMOS管(M_P5)的柵漏短接并連接第三NMOS管(M_N3)的漏極和第四PMOS管(M_P4)的柵極；

第四NMOS管(M_N4)和第四PMOS管(M_P4)的漏極互連并作為所述跨導(dǎo)放大器的輸出端；

第一NMOS管(M_N1)、第二NMOS管(M_N2)、第三NMOS管(M_N3)、第四NMOS管(M_N4)的源極接地(GND)，第一PMOS管(M_P1)、第四PMOS管(M_P4)和第五PMOS管(M_P5)的源極接輸入電壓(V_IN)。