[發(fā)明專利]管式PERC太陽能電池的修復(fù)工藝及制備工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710532627.5
• 申請日: 2017-07-03
• 公開（公告）號: CN107331730B
• 公開（公告）日: 2019-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 方結(jié)彬;夏利鵬;林綱正;賴俊文;何達(dá)能;陳剛
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江愛旭太陽能科技有限公司;廣東愛旭科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/02;H01L21/268;H01L21/673;H01L21/677;H01L31/0216
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓

1.一種管式PERC太陽能電池的修復(fù)工藝，其特征在于，所述修復(fù)工藝設(shè)置在硅片退火之后，硅片背面鍍膜之前，所述修復(fù)工藝包括：

(1)將擴(kuò)散、刻蝕、退火后，鍍膜前停留時間超過4小時的半成品硅片置入修復(fù)爐，所述修復(fù)爐包括爐外腔,旋轉(zhuǎn)內(nèi)腔和中心固定機(jī)構(gòu)，中心固定機(jī)構(gòu)上設(shè)置有紅外燈和噴氣管，旋轉(zhuǎn)內(nèi)腔上設(shè)置有放置硅片的卡槽和連通爐外腔的通孔，所述噴氣管通入流量為5-10slm的氮?dú)鈱崿F(xiàn)自潔，所述氮?dú)獾耐ㄈ霑r間為1-5min；

(2)通入流量為5-20slm的氮?dú)猓糜诖祾吖杵系幕覊m；

(3)將修復(fù)爐從室溫升溫到500-650℃，升溫時間為5-20min，同時通入流量為1-5slm的氮?dú)猓?/p>

(4)將修復(fù)爐在500-650℃恒溫5-30min，同時通入流量為5-20slm的氮?dú)狻?/p>

2.如權(quán)利要求1所述管式PERC太陽能電池的修復(fù)工藝，其特征在于，所述修復(fù)工藝包括：

(1)將退火后鍍膜前停留時間超過4小時的半成品硅片置入修復(fù)爐，所述修復(fù)爐包括爐外腔,旋轉(zhuǎn)內(nèi)腔和中心固定機(jī)構(gòu)，中心固定機(jī)構(gòu)上設(shè)置有紅外燈和噴氣管，旋轉(zhuǎn)內(nèi)腔上設(shè)置有放置硅片的卡槽和連通爐外腔的通孔，所述噴氣管通入流量為6-8slm的氮?dú)鈱崿F(xiàn)自潔，所述氮?dú)獾耐ㄈ霑r間為2-4min；

(2)通入流量為5-20slm的氮?dú)猓糜诖祾吖杵系幕覊m；

(3)將修復(fù)爐從室溫升溫到550-650℃，升溫時間為5-20min，同時通入流量為2-4slm的氮?dú)猓?/p>

(4)將修復(fù)爐在550-650℃恒溫10-20min，同時通入流量為8-15slm的氮?dú)狻?/p>

3.如權(quán)利要求1-2任一項所述管式PERC太陽能電池的修復(fù)工藝，其特征在于，所述硅片退火包括以下步驟：

對硅片進(jìn)行退火，退火溫度為700-820℃，氮?dú)饬髁繛?-15L/min，氧氣流量為0.1-6L/min。

4.如權(quán)利要求1-2任一項所述管式PERC太陽能電池的修復(fù)工藝，其特征在于，所述硅片背面鍍膜采用管式PECVD設(shè)備進(jìn)行，包括以下步驟：

采用TMA與N₂O沉積三氧化二鋁膜，TMA的氣體流量為250-500sccm，TMA與N₂O的比例為1/15-25，等離子功率為2000-5000w；

采用硅烷、氨氣和笑氣沉積氮氧化硅膜，硅烷的氣體流量為50-200sccm，硅烷與笑氣的比例為1/10-80，氨氣的流量為0.1-5slm，等離子功率為4000-6000w；

采用硅烷和氨氣沉積氮化硅膜，硅烷的氣體流量為500-1000sccm，硅烷與氨氣的比例為1/6-15，氮化硅的沉積溫度為390-410℃，時間為100-500s，等離子功率為10000-13000w；

采用笑氣沉積二氧化硅膜，笑氣的流量為0.1-5slm，等離子功率為2000-5000w。

5.如權(quán)利要求4所述管式PERC太陽能電池的修復(fù)工藝，其特征在于，所述硅片背面鍍膜采用管式PECVD設(shè)備進(jìn)行，包括以下步驟：

采用TMA與N₂O沉積三氧化二鋁膜，TMA的氣體流量為250-500sccm，TMA與N₂O的比例為1/15-25，三氧化二鋁膜的沉積溫度為250-300℃，時間為50-300s，等離子功率為2000-5000w；

采用硅烷、氨氣和笑氣沉積氮氧化硅膜，硅烷的氣體流量為50-200sccm，硅烷與笑氣的比例為1/10-80，氨氣的流量為0.1-5slm，氮氧化硅膜的沉積溫度為350-410℃，時間為50-200s，等離子功率為4000-6000w；

采用硅烷和氨氣沉積氮化硅膜，硅烷的氣體流量為500-1000sccm，硅烷與氨氣的比例為1/6-15，氮化硅膜的沉積溫度為390-410℃，時間為100-400s，等離子功率為10000-13000w；

采用笑氣沉積二氧化硅膜，笑氣的流量為0.1-5slm，等離子功率為2000-5000w。