[發(fā)明專利]用于沉積阻擋層以防止光致抗蝕劑中毒的襯底處理方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710532189.2
• 申請(qǐng)日: 2017-07-03
• 公開（公告）號(hào): CN107578982B
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 大衛(wèi)·張;伊利亞·卡利諾夫斯基
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/027
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 李獻(xiàn)忠;張華

1.一種用于沉積阻擋層的方法，其包括：

a)將包含氮化物層的襯底布置在處理室中；

b)將所述處理室中的工藝溫度設(shè)定到預(yù)定的工藝溫度范圍；

c)將所述處理室中的工藝壓強(qiáng)設(shè)定到預(yù)定的工藝壓強(qiáng)范圍；

d)提供包括有機(jī)硅烷前體物質(zhì)的氣體和蒸氣中的至少一種；以及

e)在所述氮化物層上沉積阻擋層，其中所述阻擋層不同于所述氮化物層，

其中所述阻擋層減少所述氮化物層中的擴(kuò)散到隨后沉積在所述氮化物層上的光致抗蝕劑層中的含氮基團(tuán)，

在e)之前在所述氮化物層上執(zhí)行等離子體預(yù)處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述有機(jī)硅烷前體物質(zhì)包括一個(gè)或多個(gè)SiCH₃官能團(tuán)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述有機(jī)硅烷前體物質(zhì)具有通式R_nSiX_m，其中R包括一個(gè)或多個(gè)有機(jī)官能團(tuán)，而X包括與所述襯底的表面上的-OH或-H活性位點(diǎn)反應(yīng)的一個(gè)或多個(gè)可水解的官能團(tuán)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述一個(gè)或多個(gè)可水解的官能團(tuán)選自伯胺基、仲胺基、叔胺基、烷氧基(-OR)、酰氧基(-O(CO)R)、和鹵素原子。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其還包括在e)之后在所述阻擋層上執(zhí)行等離子體后處理。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其還包括：f)在所述阻擋層上沉積光致抗蝕劑層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其還包括在e)之后且在f)之前在所述阻擋層上執(zhí)行等離子體后處理工藝。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述有機(jī)硅烷前體物質(zhì)與SiOH和SiH懸掛鍵鍵合。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述有機(jī)硅烷前體物質(zhì)選自二甲基氨基三甲基硅烷(DMATMS)、二(仲-丁基氨基)硅烷(DSBAS)和雙(叔-丁基氨基)硅烷(BTBAS)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述預(yù)定的工藝溫度范圍為200℃至400℃。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述預(yù)定的工藝溫度范圍為260℃至300℃。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述預(yù)定的工藝壓強(qiáng)范圍為300毫托至5托。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述預(yù)定的工藝壓強(qiáng)范圍為1托至2托。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述阻擋層具有5埃至100埃的厚度。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述阻擋層具有10埃至20埃的厚度。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中d)還包括提供選自分子氫、分子氮、氬、氦和惰性氣體的載氣。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述氮化物層選自氮化硅和碳氮化硅。

18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中執(zhí)行所述等離子體預(yù)處理包括將所述氮化物層暴露于包含氫的等離子體工藝氣體。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述氫包含所述等離子體工藝氣體中的4％至100％。