[發(fā)明專利]基板液處理裝置、基板液處理方法以及存儲介質(zhì)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710532046.1 | 申請日: | 2017-07-03 |
| 公開(公告)號: | CN107579020B | 公開(公告)日: | 2023-05-16 |
| 發(fā)明(設計)人: | 佐藤秀明 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基板液 處理 裝置 方法 以及 存儲 介質(zhì) | ||
本發(fā)明提供一種基板液處理裝置、基板液處理方法以及存儲介質(zhì)。本發(fā)明根據(jù)使用完畢的磷酸水溶液中的硅濃度來使用再生單元。基板液處理裝置(1)具有控制部(7)和通過處理液對基板(8)進行處理的液處理部(39)。所述控制部(7)根據(jù)在所述液處理部(39)中對所述基板(8)進行處理而從所述基板(8)溶出的溶出成分濃度,將從排出線(82)排出的所述處理液從所述再生線(90)切換到經(jīng)過所述排出線(82)向外部進行廢棄的廢棄線(87)。
技術領域
本發(fā)明涉及一種利用處理液對基板進行液處理的基板液處理裝置、基板液處理方法以及存儲介質(zhì)。
背景技術
在制造半導體器件、平板顯示器等時,使用基板液處理裝置利用蝕刻液等處理液對半導體晶圓、液晶基板等基板實施蝕刻等處理。
例如,在專利文獻1所公開的基板液處理裝置中,進行如下處理:使基板浸在處理槽內(nèi)貯存的處理液(蝕刻液:磷酸水溶液)中,來對形成于基板的表面的氮化硅膜進行蝕刻。
另外,以往以來,作為處理液使用的磷酸水溶液中包含由于蝕刻處理而溶出的硅,使用完畢的磷酸水溶液被輸送到再生單元來去除所含有的硅。通過這樣,使用完畢的磷酸水溶液在再生單元中被去除硅而再生,并再次返回到處理槽以被再次使用。
然而,以往以來,使用完畢的磷酸水溶液不論硅濃度多少都被輸送到再生單元。
在將不能夠進行硅去除的磷酸水溶液或者進行硅去除需要時間的磷酸水溶液輸送到再生單元的情況下,在再生單元內(nèi)或配管線上生成結晶等而使再生單元的內(nèi)部構造發(fā)生故障。
專利文獻1:日本特開2013-93478號公報
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是考慮到這種情況而完成的,其目的在于提供一種根據(jù)使用完畢的磷酸水溶液的硅濃度來使用再生單元由此能夠高效地使用再生單元的基板液處理裝置、基板液處理方法以及存儲介質(zhì)。
本發(fā)明是一種基板液處理裝置,其特征在于,具備:液處理部,其收納含有磷酸水溶液的處理液以及基板,并且使用該處理液對所述基板進行處理;磷酸水溶液供給部,其用于向所述液處理部供給所述磷酸水溶液;排出線,其與所述液處理部連接來排出所述處理液;返回線,其以自如地切換與所述排出線的連接和斷開的方式與所述排出線連接,所述返回線使所述處理液返回到所述液處理部;再生線,其以自如地切換與所述排出線的連接和斷開的方式與所述排出線連接,所述再生線包括使所述處理液再生的再生單元;以及控制部,其中,所述控制部根據(jù)在所述液處理部中對所述基板進行處理而從所述基板溶出的溶出成分濃度將從所述排出線排出的所述處理液從所述再生線切換到經(jīng)過所述排出線向外部廢棄的廢棄線。
本發(fā)明是一種基板液處理方法,其特征在于,具備以下步驟:通過含有磷酸水溶液的處理液在液處理部中對基板進行處理的步驟;從磷酸水溶液供給部向所述液處理部供給所述磷酸水溶液的步驟;將所述液處理部內(nèi)的所述處理液從排出線排出的步驟;通過返回線使所述處理液返回到所述液處理部的步驟,所述返回線以自如地切換與所述排出線的連接和斷開的方式與所述排出線連接;以及通過再生線使所述處理液再生的步驟,所述再生線以自如地切換與所述排出線的連接和斷開的方式與所述排出線連接,所述再生線包括使所述處理液再生的再生單元,其中,控制部根據(jù)在所述液處理部中對所述基板進行處理而從所述基板溶出的溶出成分濃度將從所述排出線排出的所述處理液從所述再生線切換到經(jīng)過所述排出線向外部廢棄的廢棄線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





