[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置封裝及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710531531.7 | 申請日: | 2017-07-03 |
| 公開(公告)號: | CN108122862B | 公開(公告)日: | 2021-08-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳天賜;王圣民;王奕程;許文政 | 申請(專利權(quán))人: | 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/31 | 分類號: | H01L23/31;H01L23/495;H01L21/50 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
| 地址: | 中國臺灣高雄市楠梓*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 封裝 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置封裝,其包括:
電子裝置;
傳導(dǎo)框,其安置在電子裝置上并且電連接到所述電子裝置,所述傳導(dǎo)框包括多個引線;
第一模制層,其覆蓋所述電子裝置和所述傳導(dǎo)框的一部分,并且安置在所述引線中的至少鄰近的兩者之間,其中所述傳導(dǎo)框的每一個所述引線的一端從所述第一模制層的橫向側(cè)面中暴露,其中所述電子裝置包括接地組件和接合導(dǎo)線,所述接合導(dǎo)線將所述傳導(dǎo)框電連接到所述接地組件,其中所述電子裝置進一步包括電子組件和再分布層,所述再分布層安置在所述電子組件上并且電連接到所述電子組件;以及
多個電觸點,所述多個電觸點安置在所述再分布層上并且電連接到所述再分布層,所述第一模制層囊封所述電觸點中的每一個的一部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置封裝,其中所述傳導(dǎo)框包括第一部分和第二部分,所述第一部分面向所述電子裝置的第一表面,所述第二部分面向所述電子裝置的橫向側(cè)面,所述第二部分的一端連接到所述第一部分并且所述第二部分的另一端連接到所述引線,所述第一模制層囊封所述第二部分、所述電子裝置的所述橫向側(cè)面以及與所述電子裝置的所述第一表面相對的所述電子裝置的第二表面的一部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置封裝,其中所述第一模制層囊封所述接合導(dǎo)線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置封裝,其中所述電子組件附接到所述傳導(dǎo)框。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置封裝,其中所述電子裝置進一步包括囊封所述電子組件的第二模制層,所述第二模制層的一部分通過所述第一模制層囊封,并且所述第二模制層附接到所述傳導(dǎo)框。
6.一種半導(dǎo)體裝置封裝,其包括:
電子裝置,其具有第一表面、與所述第一表面相對的第二表面,以及多個橫向側(cè)面;
傳導(dǎo)框,其包括面向所述電子裝置的所述第一表面的頂蓋部分和圍繞所述電子裝置的所述橫向側(cè)面的橫向部分,所述橫向部分限定至少一個凹口以及電連接到所述電子裝置的所述傳導(dǎo)框;
第一模制層,其囊封所述電子裝置的所述橫向側(cè)面和所述第二表面的一部分、所述傳導(dǎo)框的所述橫向部分以及所述頂蓋部分的一部分,并且填充到所述至少一個凹口中,其中所述傳導(dǎo)框包括多個引線,且每一個所述引線的一端從所述第一模制層的橫向側(cè)面中暴露,其中所述電子裝置包括接地組件和接合導(dǎo)線,所述接合導(dǎo)線將所述傳導(dǎo)框電連接到所述接地組件,其中所述電子裝置進一步包括電子組件和安置在所述電子組件上的再分布層;以及
多個電觸點,所述多個電觸點安置在所述再分布層上,并且所述第一模制層囊封所述電觸點中的每一個的一部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置封裝,其中所述橫向部分的一端連接到所述頂蓋部分,并且所述至少一個凹口安置在所述橫向部分的另一端處。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置封裝,其中所述第一模制層囊封所述接合導(dǎo)線。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置封裝,其中所述電子組件附接到所述傳導(dǎo)框。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置封裝,其中所述電子裝置進一步包括囊封所述電子組件的第二模制層,所述第二模制層的一部分通過所述第一模制層囊封,并且所述第二模制層附接到所述傳導(dǎo)框。
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