[發明專利]OLED顯示面板、線路結構及OLED顯示設備在審
| 申請號: | 201710530715.1 | 申請日: | 2017-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN107331686A | 公開(公告)日: | 2017-11-07 |
| 發明(設計)人: | 徐奎 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司44202 | 代理人: | 郝傳鑫,熊永強 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 顯示 面板 線路 結構 設備 | ||
技術領域
本發明涉及顯示屏技術領域,尤其涉及一種OLED顯示面板線路結構、OLED顯示面板及OLED顯示設備。
背景技術
目前平板顯示行業的主流技術是LCD(Liquid Crystal Display,液晶顯示器)和OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機發光二極管),與LCD相比OLED具有可彎折性,可實現顯示形態的多樣化。
其中,OLED的TFT基板采用柔性板作為基板設置TFT,然后TFT基板上面依次為OLED發光層、TFE薄膜封裝層、偏光片及蓋板玻璃,外引腳區設于基板上位置位于TFT基板一側;外引腳區用于設置驅動芯片、連接柔性線路板等并設置OLED發光層與芯片線路板的金屬走線層。目前實現柔性主流的方式是將設有外引腳區的基板部分彎折到TFT基板整體的背面,如此就要將金屬走線層一并彎折,彎折后金屬走線層處于彎曲狀態并承受一定應力,而基板的彎折應力較大,金屬走線層與基板一同彎折容易產生斷裂。
發明內容
本發明提供一種OLED顯示面板,解決外引腳區在彎折時金屬走線層被折斷的技術問題。
本發明提供的所述OLED顯示面板線路結構,OLED顯示面板包括陣列基板,OLED顯示面板線路結構包括設于所述陣列基板襯底的外引腳區,所述外引腳區上設置有兩層相互絕緣的金屬走線層,所述外引腳區設有彎折區,所述兩層金屬走線層的走線與所述彎折區的中心線呈非直角的夾角設置,所述兩層金屬走線層用于將所述OLED顯示面板與外部的電信號連接。
其中,兩層所述金屬走線層為沿著所述OLED顯示面板厚度方向上下層設置并通過絕緣層絕緣。
其中,所述陣列基板包括形成于襯底上的TFT開關及柵極絕緣層,所述第一層金屬走線層設于位于外引腳區的所述柵極絕緣層上,所述第二層金屬走線層設于覆蓋所述外引腳區的第一層金屬層的絕緣層上。
其中,所述兩層金屬走線層的走線在所述外引腳區上的投影有相交但不完全重疊,且相交的位置位于所述彎折中心線兩側或者彎折中心線上。
本發明提供的OLED顯示面板,其特征在于,包括陣列基板及外引腳區,層疊于所述陣列基板上的OLED發光層、偏光片及玻璃蓋板,所述陣列基板包括襯底,其特征在于,所述外引腳區上設置有至少兩層相互絕緣的金屬走線層,所述外引腳區設有彎折區,所述兩層金屬走線層的走線與所述彎折區的中心線呈非直角的夾角設置,所述兩層金屬走線層用于將所述OLED顯示面板與外部的電信號連接。
其中,所述兩層金屬走線層為沿著所述OLED顯示面板厚度方向上下層設置并通過絕緣層絕緣。
其中,所述陣列基板包括形成于襯底上的TFT開關及柵極絕緣層,所述兩層金屬走線層中的第一層金屬走線層設于位于外引腳區的所述柵極絕緣層上,所述兩層金屬走線層中的第二層金屬走線層設于覆蓋所述外引腳區的第一層金屬層的絕緣層上。
其中,兩層金屬走線層的走線在所述外引腳區上的投影有相交但不完全重疊,且相交的位置位于所述彎折中心線兩側或者彎折中心線上。
其中,還包括柔性線路板,所述柔性線路板連接于所述外引腳區并通過所述金屬走線層與所述OIED顯示面板連接。
本發明提供的OLED顯示設備,包括所述的OLED顯示面板。
本發明所述OLED顯示面板在外引腳區沿著彎折區域的中心線向陣列基板的背面彎折時,兩層金屬走線層的走線與彎折中心線的夾角非90度直角,那么在走線隨著襯底彎折時,所述走線彎折方向是傾斜的,增大走線接觸面積,減小單位長度受力,這樣就可以減小對走線的直接應力,解決外引腳區在彎折時金屬走線層被折斷的技術問題。
附圖說明
為更清楚地闡述本發明的構造特征和功效,下面結合附圖與具體實施例來對其進行詳細說明。
圖1是本發明OLED顯示面板的結構側面示意簡圖。
圖2是本發明OLED顯示面板走線結構的側面示意簡圖。
圖3是圖2所示的OLED顯示面板走線結構的平面示意圖。
圖4是圖3所示的OLED顯示面板走線結構的走線與彎折中心線的示意圖。
具體實施例
下面將結合本發明實施例中的附圖,對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述。其中,附圖僅用于示例性說明,表示的僅是示意圖,不能理解為對本專利的限制。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





