[發明專利]感測裝置有效
| 申請號： | 201710530379.0 | 申請日： | 2017-06-29 |
| 公開（公告）號： | CN108732609B | 公開（公告）日： | 2022-01-25 |
| 發明（設計）人： | 吳智濠;宋立偉 | 申請（專利權）人： | 睿生光電股份有限公司 |
| 主分類號： | G01T1/24 | 分類號： | G01T1/24 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 楊澤;劉芳 |
| 地址： | 中國臺灣南部科學園*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 裝置 | ||
1.一種感測裝置，其特征在于，包括：
一讀取線；
一數據線；
一第一電源線，其中該讀取線垂直于該第一電源線；以及
一感測單元，包括：
一第一晶體管，具有一第一柵極、一第一漏極與一第一源極，其中該第一源極沿一方向延伸，該第一漏極耦接到該第一電源線，該第一漏極在該第一晶體管的俯視圖上具有一凹面，該第一源極對應該凹面設置，且該第一源極與該凹面沿該方向排列；
一第二晶體管，具有一第二柵極、一第二漏極與一第二源極，其中該第二源極耦接到該第一柵極；
一第三晶體管，具有一第三柵極、一第三漏極與一第三源極，其中該第三漏極耦接到該第一源極，該第三源極耦接到該數據線，且該第三柵極耦接到該讀取線；
一感光元件，耦接到該第一柵極；
一第二電源線，該第二漏極耦接到該第二電源線；以及
一偏壓線，
其中該感光元件包括一光電二極管，該光電二極管具有一陽極與一陰極，且該陽極耦接到該第一柵極，該陰極耦接到該偏壓線，
其中該偏壓線所提供的電壓大于該第二電源線的電壓。
2.如權利要求1所述的感測裝置，其特征在于，該第二漏極耦接到該第一電源線。
3.如權利要求1所述的感測裝置，其特征在于，還包括一重置線，該第二柵極耦接到該重置線。
4.如權利要求1所述的感測裝置，其特征在于，該凹面具有一凹陷部，于俯視方向上，該第一源極與該凹陷部重迭。
5.如權利要求1所述的感測裝置，其特征在于，于俯視方向上，部分該凹面呈弧形。
6.如權利要求1所述的感測裝置，其特征在于，該第一晶體管另包括一第一半導體層，該第二晶體管另包括一第二半導體層，該第三晶體管另包括一第三半導體層，其中該第一半導體層、該第二半導體層及該第三半導體層的至少其中之一包括多晶硅，且至少其中之另一包括氧化物半導體或非晶硅。
7.如權利要求1所述的感測裝置，其特征在于，該第一晶體管還包括一第一半導體層，該第二晶體管還包括一第二半導體層，該第三晶體管還包括一第三半導體層，其中該第一半導體層、該第二半導體層及該第三半導體層至少其中之一包括氧化物半導體。
8.一種感測裝置，其特征在于，包括：
一讀取線；
一數據線；
一第一電源線，其中該讀取線垂直于該第一電源線；以及
一感測單元，包括：
一第一晶體管，具有一第一柵極、一第一漏極、一第一源極以及一第一半導體層，其中該第一源極沿一方向延伸，該第一漏極耦接到該第一電源線，該第一漏極在該第一晶體管的俯視圖上具有一凹面，該第一源極對應該凹面設置，且該第一源極與該凹面沿該方向排列；
一第二晶體管，具有一第二柵極、一第二漏極、一第二源極以及一第二半導體層，其中該第二源極耦接到該第一柵極；
一第三晶體管，具有一第三柵極、一第三漏極、一第三源極以及一第三半導體層，其中該第三漏極耦接到該第一源極，該第三源極耦接到該數據線，該第三柵極耦接到該讀取線；
一感光元件，耦接到該第一柵極；
一第二電源線，該第二漏極耦接到該第二電源線；以及
一偏壓線，
其中，該第一半導體層、該第二半導體層及該第三半導體層至少其中之一包括多晶硅，且至少其中之另一包括氧化物半導體或非晶硅，
其中該第二半導體層包括多晶硅，該第一半導體層包括氧化物半導體或多晶硅，且該第三半導體層包括氧化物半導體或非晶硅，
其中該感光元件包括一光電二極管，該光電二極管具有一陽極與一陰極，且該陽極耦接到該第一柵極，該陰極耦接到該偏壓線，
其中該偏壓線所提供的電壓大于該第二電源線的電壓。
9.如權利要求8所述的感測裝置，其特征在于，該第一半導體層包括多晶硅。
10.如權利要求8所述的感測裝置，其特征在于，該第二漏極耦接到該第一電源線。
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