[發明專利]薄膜晶體管、陣列基板、顯示裝置

有效

• 申請號: 201710529951.1
• 申請日: 2017-06-30
• 公開（公告）號: CN107170834B
• 公開（公告）日: 2019-11-26
• 發明（設計）人: 許文欽;席克瑞;林柏全;李金玉
• 申請（專利權）人: 上海天馬微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12;G02F1/167
• 代理公司: 11444 北京匯思誠業知識產權代理有限公司
• 代理人: 王剛;龔敏<國際申請>=<國際公布>=<

1.一種薄膜晶體管，包括柵極、源極/漏極、有源層，其特征在于，

還包括輔助電極，所述輔助電極與所述源極/漏極同層設置且互不交疊，且所述輔助電極向所述有源層的垂直投影位于所述有源層內，所述輔助電極位于所述源極與所述漏極之間；

所述輔助電極圍繞所述源極或所述漏極設置，且所述輔助電極包括圓弧結構，所述源極或所述漏極朝向所述輔助電極的一端為圓弧結構。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述輔助電極為U形。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極或者所述漏極為U形。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層的邊緣為U形，所述邊緣為U形有源層向所述柵極的垂直投影位于所述柵極內。

5.根據權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述U形的輔助電極包圍所述漏極且所述U形的源極包圍所述U形的輔助電極；或者，

所述U形的輔助電極包圍所述源極且所述U形的漏極包圍所述U形的輔助電極。

6.根據權利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述U形的輔助電極包括圓弧形輔助電極和直線形輔助電極，所述U形的源極或者漏極包括圓弧形源極或者漏極以及直線形源極或者漏極，所述直線形輔助電極的長度大于所述直線形源極或者漏極的長度。

7.根據權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述輔助電極為多個U形，且所述多個U形的輔助電極成軸對稱排列。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極與所述輔助電極之間的溝道寬長比與所述輔助電極與所述漏極之間的溝道寬長比相等。

9.根據權利要求1至7中任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極為鏤空結構。

10.一種陣列基板，包括襯底基板，以及設置所述襯底基板一側的權利要求1-9任一項所述的薄膜晶體管。

11.根據權利要求10所述的陣列基板，其特征在于，還包括像素電極、數據線以及柵極線，所述柵極線與所述柵極為一整體，所述源極或者所述漏極與所述數據線為一整體，所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏極或者所述源極電連接。

12.根據權利要求11所述的陣列基板，其特征在于，當所述輔助電極為U形時，所述輔助電極沿著所述數據線延伸的方向延伸或者柵極線延伸的方向延伸。

13.根據權利要求12所述的陣列基板，其特征在于，當所述源極或者所述漏極為U形，所述U形的輔助電極包括圓弧形輔助電極和直線形輔助電極，所述U形的源極或者漏極包括圓弧形源極或者漏極以及直線形源極或者漏極時，在數據線延伸方向上，所述圓弧形形輔助電極比所述圓弧形源極或者漏極更靠近所述像素電極。

14.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求10-13所述的陣列基板，以及顯示功能層。

15.根據權利要求14所述的顯示裝置，其特征在于，所述顯示功能層為電泳膜。