[發明專利]用于閃存芯片的信號校準方法及閃存控制器

在審

• 申請號: 201710528526.0
• 申請日: 2017-07-01
• 公開（公告）號: CN109213704A
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發明（設計）人: 伍德斌;王祎磊;胡旭
• 申請（專利權）人: 北京憶芯科技有限公司
• 主分類號: G06F13/16
• 分類號: G06F13/16
• 代理公司: 北京卓特專利代理事務所(普通合伙) 11572
• 代理人: 段宇

本申請提供用于閃存芯片的信號校準方法及閃存控制器，閃存芯片的信號校準方法，其中，包括：獲取通過第一校準裝置使耦合閃存芯片的第一信號延遲指定周期的第一校準值；第一校準裝置依據第一校準值對第一信號進行校準。

技術領域

本申請涉及存儲技術領域，尤其涉及用于閃存芯片的信號校準方法及閃存控制器。

背景技術

ONFI、TOGGLE等接口標準定義操作NAND閃存的方式。在操作NAND閃存時，需要調整采樣信號相對于DQ信號的采樣窗口，在合適的時機對DQ信號進行采樣，以獲取理想的數據。在ONFI、TOGGLE等接口標準定義中還定義了DQS、CLK等用于訪問NAND閃存的信號。

在向NAND閃存發送編程命令時，閃存控制器向NAND閃存提供DQS信號和DQ信號。閃存控制器需要調整DQS信號的相位，使得DQ信號在DQS信號發生跳變時出現且穩定狀態。DQS信號和DS信號之間的理想相位差為1T/4(T是DQS信號的周期)。

在向NAND閃存發送讀命令時，NAND閃存向閃存控制器提供DQS與DQ信號。一些情況下，NAND閃存提供的DQS與DQ信號相位相同，閃存控制器需將DQS信號延遲，以使得DQS信號發生跳變時，DQ信號出現且穩定狀態。用于讀數據的DQS信號與DS信號之間的理想相位差為1T/4。

發明內容

由于集成電路工藝、工作溫度、工作電壓的變化，DQS信號與DS信號的相位差也發生變化，在閃存控制器中需要跟蹤DQ信號的理想采樣位置。

閃存控制器可包括多個閃存通道，每個閃存通道提供各自的DQS/CLK信號并連接到各自閃存通道上的閃存芯片。對耦合每個閃存芯片的DQS/CLK信號進行獨立的校準值獲取，增加了校準過程所需時間，也增加了對閃存通道的占用。

本申請提供用于閃存芯片的信號校準方法及閃存控制器，以解決現有技術中存在的一個或多個問題。

根據本申請的第一方面，提供了根據本申請第一方面的第一閃存芯片的信號校準方法，其中，包括：獲取通過第一校準裝置使耦合閃存芯片的第一信號延遲指定周期的第一校準值；第一校準裝置依據第一校準值對第一信號進行校準。

根據本申請的第一方面的第一用于閃存芯片的信號校準方法，提供了根據本申請第一方面的第二用于閃存芯片的信號校準方法，其中，依據第一校準值從閃存芯片讀出第一數據；根據第一數據是否正確，更新第一校準值。

根據本申請的第一方面的第一或第二用于閃存芯片的信號校準方法，提供了根據本申請第一方面的第三用于閃存芯片的信號校準方法，其中，依據第一校準值從閃存芯片中讀出第一數據；根據第一數據是否正確，從多個第一校準值中選出最優的第一校準值。

根據本申請的第一方面的第一至第三用于閃存芯片的信號校準方法之一，提供了根據本申請第一方面的第四用于閃存芯片的信號校準方法，其中，還包括：依據第一校準值獲取第二校準值；第二校準裝置依據第二校準值對耦合閃存芯片的第二信號進行校準。

根據本申請的第一方面的第一至第四用于閃存芯片的信號校準方法之一，提供了根據本申請第一方面的第五用于閃存芯片的信號校準方法，其中，還包括：獲取通過第二校準裝置使耦合閃存芯片的第二信號延遲指定周期的第二校準值；記錄將第一校準值映射到第二校準值的關聯關系。

根據本申請的第一方面的第五用于閃存芯片的信號校準方法，提供了根據本申請第一方面的第六用于閃存芯片的信號校準方法，其中，其特征在于，還包括：記錄在多種工作溫度和/或工作電壓下，將第一校準值映射到第二校準值的關聯關系。

根據本申請的第一方面的第四至第六用于閃存芯片的信號校準方法之一，提供了根據本申請第一方面的第七用于閃存芯片的信號校準方法，其中，還包括：依據第二校準值從閃存芯片中讀出第二數據；根據第二數據是否正確，更新第二校準值。