[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板和顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710527573.3
• 申請日: 2017-06-30
• 公開（公告）號: CN107316815B
• 公開（公告）日: 2019-12-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李海旭;曹占鋒;姚琪;汪建國;薛大鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786;H01L27/12;H01L29/417;H01L29/423
• 代理公司: 11201 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 趙天月

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

基板；

柵極，所述柵極包括柵極金屬層和柵極金屬配合物層，其中，所述柵極金屬層設(shè)置在所述基板的一個表面上，所述柵極金屬配合物層設(shè)置在所述柵極金屬層遠離所述基板的表面上；

柵絕緣層，所述柵絕緣層設(shè)置在所述基板的一個表面上，且覆蓋所述柵極；

有源層，所述有源層設(shè)置在所述柵絕緣層遠離所述基板的表面上；

源極，所述源極包括源極金屬層和源極金屬配合物層，所述源極金屬層設(shè)置在所述柵絕緣層和所述有源層遠離所述基板的表面上，所述源極金屬配合物層設(shè)置在所述源極金屬層遠離所述基板的表面上；

漏極，所述漏極包括漏極金屬層和漏極金屬配合物層，所述漏極金屬層設(shè)置在所述柵絕緣層和所述有源層遠離所述基板的表面上，所述漏極金屬配合物層設(shè)置在所述漏極金屬層遠離所述基板的表面上；

其中，所述柵極金屬配合物層、所述源極金屬配合物層和所述漏極金屬配合物層為M[C₆H₁₃N₂P₂]COOH金屬配合物層，M表示所述柵極金屬配合物層、所述源極金屬配合物層和所述漏極金屬配合物層中的金屬原子。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極金屬配合物層、源極金屬配合物層和漏極金屬配合物層是通過以下步驟形成的：

于30-40攝氏度條件下，使所述柵極金屬層、源極金屬層和漏極金屬層遠離所述基板的表面與配體溶液接觸30-90秒。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述配體溶液含有乙酸、二氮二磷雜環(huán)戊烷和二氧雜環(huán)戊烷中的至少一種、硝酸鈰銨和浸潤劑。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，基于所述配體溶液的總質(zhì)量，所述配體溶液含有：乙酸3-7％wt、二氮二磷雜環(huán)戊烷和二氧雜環(huán)戊烷中的至少一種5-15％wt、硝酸鈰銨2-5％wt和所述浸潤劑1-3％wt。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，形成所述柵極金屬層、源極金屬層和漏極金屬層的材料各自獨立的包括銅、銀、鋁、鈦中的至少一種。

6.一種制備薄膜晶體管的方法，其特征在于，形成所述薄膜晶體管的柵極、源極和漏極的步驟包括：

形成金屬層；

在所述金屬層的一個表面形成金屬配合物層，所述金屬配合物層為M[C₆H₁₃N₂P₂]COOH金屬配合物層，M表示所述金屬配合物層中的金屬原子；

在所述金屬配合物層遠離所述金屬層的表面形成光刻膠圖案；

去除未被所述光刻膠圖案覆蓋的所述金屬配合物層和金屬層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述形成金屬配合物層包括：

于30-40攝氏度條件下，使所述金屬層的表面與配體溶液接觸30-90秒。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述配體溶液含有乙酸、二氮二磷雜環(huán)戊烷和二氧雜環(huán)戊烷中的至少一種、硝酸鈰銨和浸潤劑。

9.一種陣列基板，其特征在于，包括權(quán)利要求1-5任一項所述的薄膜晶體管。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求9所述的陣列基板。