[發明專利]半導體靜電防護結構

有效

• 申請號: 201710527199.7
• 申請日: 2017-06-30
• 公開（公告）號: CN109216342B
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 孫俊
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

1.一種半導體靜電防護結構，包括：

襯底；

第一阱，形成于所述襯底上；

第二阱，形成于所述襯底上，并與所述第一阱相鄰設置；

所述第一阱中設有第一摻雜區，所述第二阱中設有第二摻雜區和第三摻雜區，且所述第一阱和第二阱相鄰的位置設有第四摻雜區；所述第一摻雜區、第四摻雜區、第二摻雜區以及第三摻雜區依次排列，且相鄰的不同摻雜類型的摻雜區之間相互隔離，相同摻雜類型的兩個摻雜區之間的區域表面設有柵極結構；

其中，所述第一阱和第二阱的摻雜類型不同；所述第一摻雜區、第三摻雜區的摻雜類型相同，且與第二摻雜區摻雜類型不同、所述第一摻雜區與第四摻雜區的摻雜類型相同或不同；所述第一摻雜區單獨引出、或當與第四摻雜區摻雜類型相同時與柵極結構一起引出；

所述第一阱為N型阱，所述第二阱為P型阱；所述第一摻雜區和第三摻雜區為P+區，所述第二摻雜區和第四摻雜區為N+區；所述第一摻雜區引出為陽極，所述柵極結構、第二摻雜區以及第三摻雜區一起引出為陰極；

或，所述第一阱為P型阱，所述第二阱為N型阱；所述第一摻雜區和第三摻雜區為N+區，所述第二摻雜區和第四摻雜區為P+區；所述第一摻雜區引出為陰極，所述柵極結構、第二摻雜區以及第三摻雜區引出為陽極；

或，所述第一阱為P型阱，所述第二阱為N型阱；所述第一摻雜區、第三摻雜區以及第四摻雜區為N+區，所述第二摻雜區為P+區；所述第一摻雜區和柵極結構引出為陰極，所述第二摻雜區以及第三摻雜區引出為陽極。

2.根據權利要求1所述的半導體靜電防護結構，其特征在于，采用隔離結構進行隔離；所述隔離結構為場氧結構或淺槽隔離結構。

3.根據權利要求1～2任一項所述的半導體靜電防護結構，其特征在于，所述陰極和所述陽極分別接在I/O端和一個供電電壓端之間。

4.一種半導體靜電防護結構，包括：

襯底；

第一阱，形成于所述襯底上；

第二阱，形成于所述襯底上，并與所述第一阱相鄰設置；

所述第一阱中設有第一摻雜區，所述第二阱中設有第二摻雜區，且所述第一阱和第二阱相鄰的位置設有第三摻雜區；所述第一摻雜區、第三摻雜區以及第二摻雜區依次排列，且第一摻雜區與第三摻雜區相互隔離；第二摻雜區和第三摻雜區之間的區域表面設有柵極結構；所述第一摻雜區單獨引出；

其中，所述第一阱和第二阱的摻雜類型不同；所述第一摻雜區、第三摻雜區的摻雜類型不相同，所述第二摻雜區、第三摻雜區的摻雜類型相同；

所述第一阱為N型阱，所述第二阱為P型阱；所述第一摻雜區為P+區，所述第二摻雜區和第三摻雜區為N+區；所述第一摻雜區引出為陽極，所述柵極結構和第二摻雜區一起引出為陰極；

或，所述第一阱為P型阱，所述第二阱為N型阱；所述第一摻雜區為N+區，所述第二摻雜區和第三摻雜區為P+區；所述第一摻雜區引出為陰極，所述柵極結構和第二摻雜區一起引出為陽極。

5.根據權利要求4所述的半導體靜電防護結構，其特征在于，所述陰極和所述陽極分別接在I/O端和一個供電電壓端之間。

6.根據權利要求4～5任一項所述的半導體靜電防護結構，其特征在于，所述第一摻雜區與第三摻雜區之間采用隔離結構進行隔離。

7.根據權利要求6所述的半導體靜電防護結構，其特征在于，所述隔離結構為場氧結構或淺槽隔離結構。

8.根據權利要求4～5任一項所述的半導體靜電防護結構，其特征在于，所述襯底為P型襯底。