[發(fā)明專利]OLED顯示面板及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710526536.0 | 申請(qǐng)日: | 2017-06-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109216575A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-01-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 田景文;韋艷君;劉勝芳;蔡世星;李雪原;張浩杰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/52 | 分類號(hào): | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄膜封裝層 錨定結(jié)構(gòu) 功能層 凹陷 制備 陰極 像素定義層 抗剪切力 位置偏移 像素開(kāi)口 粘附能力 頂電極 膜層 填充 | ||
1.一種OLED顯示面板,其特征在于,包括基板以及形成于所述基板上的底電極、像素定義層、功能層、頂電極和薄膜封裝層;所述像素定義層形成有若干像素開(kāi)口,位于所述像素開(kāi)口內(nèi)的底電極、功能層以及頂電極構(gòu)成像素單元;至少部分像素定義層與相鄰的像素開(kāi)口內(nèi)的功能層之間形成有凹陷,所述薄膜封裝層填充所述凹陷。
2.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述像素定義層靠近基板的一端的截面寬度小于其遠(yuǎn)離基板的一端的截面寬度。
3.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述凹陷垂直于基板表面且平行于像素定義層寬度方向的截面呈倒梯形。
4.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述像素定義層中還形成有若干孔,所述孔至少貫穿部分厚度的像素定義層。
5.如權(quán)利要求4所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述OLED顯示面板還包括形成于所述基板上的平坦化層,所述底電極形成于所述平坦化層上;所述孔還貫穿部分厚度或全部厚度的像素定義層,或者,所述孔還貫穿全部厚度的像素定義層以及部分厚度或全部厚度的平坦化層。
6.如權(quán)利要求4所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述孔為垂直孔,或者,所述孔靠近基板的一端的截面寬度大于其遠(yuǎn)離基板的一端的截面寬度,或者,所述孔靠近基板的一端的截面寬度小于其遠(yuǎn)離基板的一端的截面寬度。
7.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述薄膜封裝層由有機(jī)膜層和無(wú)機(jī)膜層交替分布,所述薄膜封裝層中最頂層的膜層為無(wú)機(jī)膜層,除最頂層之外的無(wú)機(jī)膜層中至少部分采用分段式結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求7所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述薄膜封裝層包括第一至第六薄膜封裝層,其中,第一薄膜封裝層、第三薄膜封裝層以及第五薄膜封裝層為有機(jī)膜層,第二薄膜封裝層、第四薄膜封裝層以及第六薄膜封裝層為無(wú)機(jī)膜層,所述第六薄膜封裝層采用分段式結(jié)構(gòu);或者,所述薄膜封裝層包括第一至第八薄膜封裝層,其中,第一薄膜封裝層、第三薄膜封裝層、第五薄膜封裝層以及第七薄膜封裝層為有機(jī)膜層,第二薄膜封裝層、第四薄膜封裝層、第六薄膜封裝層以及第八薄膜封裝層為無(wú)機(jī)膜層,所述第六薄膜封裝層以及第八薄膜封裝層采用分段式結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的OLED顯示面板,其特征在于,至少形成有所述凹陷處的像素開(kāi)口周圍的像素定義層采用分段式結(jié)構(gòu),以實(shí)現(xiàn)上所述頂電極的電連接。
10.一種OLED顯示面板制備方法,其特征在于,包括:
提供一基板;以及
在所述基板上形成底電極、像素定義層、功能層、頂電極和薄膜封裝層,所述像素定義層形成有若干像素開(kāi)口,且至少部分像素定義層與相鄰的像素開(kāi)口內(nèi)的功能層之間形成有凹陷,所述薄膜封裝層填充所述凹陷。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
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