[發明專利]薄膜晶體管的制作方法、陣列基板的制作方法及陣列基板、顯示裝置

有效

• 申請號: 201710526266.3
• 申請日: 2017-06-30
• 公開（公告）號: CN107331708B
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發明（設計）人: 段獻學;宮奎
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 周娟

1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

提供一襯底基板，在所述襯底基板上形成有源層；

在所述有源層的表面形成金屬層；

在所述金屬層的表面形成光刻膠層；

采用一次構圖工藝對所述光刻膠層進行處理，形成光刻膠完全去除區、光刻膠部分保留區和光刻膠完全保留區；所述光刻膠部分保留區和光刻膠完全保留區相連；

對所述光刻膠完全去除區對應的所述金屬層的區域進行完全氧化處理，形成第一鈍化部；

去除所述光刻膠部分保留區的光刻膠；

對所述光刻膠部分保留區對應的所述金屬層的區域進行部分氧化處理，形成源漏極以及第二鈍化部；所述源漏極與所述有源層接觸，所述第二鈍化部形成在所述源漏極遠離所述有源層的一側；所述第一鈍化部和所述第二鈍化部形成鈍化層；

所述光刻膠完全保留區對應的所述金屬層作為與源漏極連接的導電部；

去除所述光刻膠完全保留區的光刻膠。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述對所述光刻膠完全去除區對應的所述金屬層的區域進行完全氧化處理的步驟包括：

采用陽極氧化法對所述光刻膠完全去除區對應的所述金屬層的區域進行氧化處理，所述光刻膠完全去除區對應的金屬層的金屬材料被氧化為金屬氧化物，使得所述光刻膠完全去除區對應的金屬層形成第一鈍化部。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述對所述光刻膠部分保留區對應的所述金屬層的區域進行部分氧化處理的步驟包括：

采用陽極氧化法對所述光刻膠部分保留區對應的所述金屬層的表面進行氧化處理，所述光刻膠部分保留區對應的金屬層的表面金屬材料被氧化為金屬氧化物，使得所述光刻膠部分保留區對應的金屬層的表面形成第二鈍化部，所述光刻膠部分保留區對應的金屬層的表面下方的金屬材料形成源漏極。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述對所述光刻膠完全去除區對應的所述金屬層的區域進行完全氧化處理的步驟包括：

采用等離子氧化處理工藝對應光刻膠完全去除區的區域進行氧化處理，所述光刻膠完全去除區對應的金屬層的金屬材料被氧化為金屬氧化物，使得所述光刻膠完全去除區對應的金屬層形成第一鈍化部。

5.根據權利要求4所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述去除所述光刻膠部分保留區的光刻膠的步驟包括：采用等離子氧化處理工藝對所述光刻膠部分保留區的光刻膠進行氧化處理，使得所述光刻膠部分保留區的光刻膠被氧化成氣體；

所述對所述光刻膠完全去除區對應的所述金屬層的區域進行完全氧化處理和所述去除所述光刻膠部分保留區的光刻膠在一次等離子氧化處理工藝中完成。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述對所述光刻膠部分保留區對應的所述金屬層的區域進行部分氧化處理的步驟包括：

采用等離子氧化處理工藝對所述光刻膠部分保留區對應的所述金屬層的表面進行氧化處理，所述光刻膠部分保留區對應的金屬層的表面金屬材料被氧化為金屬氧化物，使得所述光刻膠部分保留區對應的金屬層的表面形成第二鈍化部，所述光刻膠部分保留區對應的金屬層的表面下方的金屬材料形成源漏極。

7.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述去除所述光刻膠完全保留區的光刻膠的步驟包括：采用等離子氧化處理工藝對所述光刻膠完全保留區的光刻膠進行氧化處理，使得所述光刻膠完全保留區的光刻膠被氧化成氣體。

8.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述采用一次構圖工藝對所述光刻膠層進行處理的方法為半色調掩膜工藝。

9.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述金屬層的材料為鋁、鎂、鈦、鋁合金、鎂合金或鈦合金。