[發(fā)明專利]一種存儲設(shè)備及其數(shù)據(jù)處理方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710524986.6
• 申請日: 2017-06-30
• 公開（公告）號: CN107346216B
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡振國
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)想（北京）有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 蔣雅潔;張穎玲

本發(fā)明公開了一種存儲設(shè)備及其數(shù)據(jù)處理方法，所述存儲設(shè)備包括第一存儲單元、第二存儲單元；所述方法包括：檢測存儲設(shè)備的隨機(jī)寫性能參數(shù)；當(dāng)所述存儲設(shè)備的隨機(jī)寫性能參數(shù)小于等于預(yù)設(shè)閾值時，將待存儲的數(shù)據(jù)按照第一策略寫入至所述第二存儲單元；將所述第二存儲單元中的數(shù)據(jù)按照第二策略寫入至所述第一存儲單元，所述第二存儲單元的隨機(jī)寫性能參數(shù)大于所述第一存儲單元的隨機(jī)寫性能參數(shù)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲技術(shù)，尤其涉及一種存儲設(shè)備及其數(shù)據(jù)處理方法。

背景技術(shù)

固態(tài)硬盤(SSD，Solid State Drives)簡稱固盤，SSD由控制器和存儲單元組成。NAND閃存是一種非易失性的存儲技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)，通常，SSD中的存儲單元由NAND閃存顆粒組成。

SSD在開始使用初期(典型是沒有全盤順序?qū)懭脒^2遍的時候)，經(jīng)常出現(xiàn)隨機(jī)寫性能下降一半以上，甚至?xí)陆档绞种唬蟠笥绊懥丝蛻舻氖褂酶惺?。這是因?yàn)镹AND的磨損平衡沒有做好，要想磨損平衡機(jī)制運(yùn)行良好就需要先全盤寫完2遍及以上。但是，隨著SSD容量越來越大，從幾百GB到幾十TB甚至幾百TB以上，全盤順序?qū)懭?遍在正?？蛻羰褂脮r是非常麻煩的，所以SSD在開始使用初期的隨機(jī)寫性能下降問題是亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種存儲設(shè)備及其數(shù)據(jù)處理方法。

本發(fā)明實(shí)施例提供的存儲設(shè)備的數(shù)據(jù)處理方法中，存儲設(shè)備包括第一存儲單元、第二存儲單元；所述方法包括：

檢測存儲設(shè)備的隨機(jī)寫性能參數(shù)；

當(dāng)所述存儲設(shè)備的隨機(jī)寫性能參數(shù)小于等于預(yù)設(shè)閾值時，將待存儲的數(shù)據(jù)按照第一策略寫入至所述第二存儲單元；

將所述第二存儲單元中的數(shù)據(jù)按照第二策略寫入至所述第一存儲單元，所述第二存儲單元的隨機(jī)寫性能參數(shù)大于所述第一存儲單元的隨機(jī)寫性能參數(shù)。

本發(fā)明一實(shí)施方式中，所述方法還包括：

當(dāng)所述存儲設(shè)備的隨機(jī)寫性能參數(shù)大于所述預(yù)設(shè)閾值時，將待存儲的數(shù)據(jù)按照所述第一策略寫入至所述第一存儲單元。

本發(fā)明一實(shí)施方式中，所述將待存儲的數(shù)據(jù)按照第一策略寫入至所述第二存儲單元，包括：

將待存儲的數(shù)據(jù)按照隨機(jī)寫入策略寫入至所述第二存儲單元。

本發(fā)明一實(shí)施方式中，所述將所述第二存儲單元中的數(shù)據(jù)按照第二策略寫入至所述第一存儲單元，包括：

將所述第二存儲單元中的數(shù)據(jù)按照順序?qū)懖呗詫懭胫了龅谝淮鎯卧?/p>

本發(fā)明一實(shí)施方式中，所述第一存儲單元為NAND，所述第二存儲單元為DIMM；所述第一存儲單元的數(shù)目大于所述第二存儲單元的數(shù)目。

本發(fā)明實(shí)施例提供的存儲設(shè)備包括：性能控制器、存儲控制器、第一存儲單元、第二存儲單元；其中，

所述性能控制器，用于檢測存儲設(shè)備的隨機(jī)寫性能參數(shù)；當(dāng)所述存儲設(shè)備的隨機(jī)寫性能參數(shù)小于等于預(yù)設(shè)閾值時，將待存儲的數(shù)據(jù)按照第一策略寫入至所述第二存儲單元；

所述存儲控制器，用于將所述第二存儲單元中的數(shù)據(jù)按照第二策略寫入至所述第一存儲單元，所述第一存儲單元的隨機(jī)寫性能參數(shù)大于所述第一存儲單元的隨機(jī)寫性能參數(shù)。

本發(fā)明一實(shí)施方式中，所述存儲控制器，還用于當(dāng)所述存儲設(shè)備的隨機(jī)寫性能參數(shù)大于所述預(yù)設(shè)閾值時，將待存儲的數(shù)據(jù)按照所述第一策略寫入至所述第一存儲單元。

本發(fā)明一實(shí)施方式中，所述性能控制器，還用于將待存儲的數(shù)據(jù)按照隨機(jī)寫入策略寫入至所述第二存儲單元。

本發(fā)明一實(shí)施方式中，所述存儲控制器，還用于將所述第二存儲單元中的數(shù)據(jù)按照順序?qū)懖呗詫懭胫了龅谝淮鎯卧?/p>