[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201710524567.2
• 申請日: 2017-06-30
• 公開（公告）號: CN107564875B
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發明（設計）人: 清水康貴;大坪義貴;田畑光晴
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種半導體裝置，其具有：

電路圖案，其形成于絕緣基板的一個主表面之上，至少一部分具有導電性；

至少大于或等于1根的導線，其與所述電路圖案接合，帶有導電性；

電極端子，其通過與所述導線接合而與所述電路圖案電連接；以及

半導體元件，其與所述電路圖案接合，

所述電極端子包含：水平延伸部，其以沿所述主表面的方式擴展，與所述導線連接；以及彎折部，其用于相對于所述水平延伸部而變更延伸方向，

在俯視觀察時，所述電路圖案與所述導線相接合的接合部相比于所述導線與所述電極端子重疊的部分而配置在外側。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述接合部設置于大于或等于2個部位且相互隔開間隔。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

所述接合部在將所述水平延伸部和所述彎折部連結的方向上，與所述彎折部相比配置在所述水平延伸部側的區域。

4.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

所述導線配置有多根，

多根所述導線中的至少1根配置為穿過在俯視觀察時與所述彎折部重疊的區域。

5.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

所述導線是具有雜質的材料，該雜質包含銅、鋁或者銀中的任意者，

構成所述導線的所述材料的擴散溫度低于構成所述電路圖案以及所述電極端子的母材的擴散溫度。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，

所述電路圖案以及所述電極端子由銅類或者鋁類的所述母材構成，

在所述母材中，包含大于或等于80質量％而小于或等于100質量％的銅、或者大于或等于90質量％而小于或等于100質量％的鋁。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中，

所述電路圖案包含：所述母材；以及第1薄膜，其形成于所述母材的表面之上，

所述第1薄膜是從由銅類的鍍膜、鎳類的鍍膜以及鋁類的涂膜構成的組中選擇的任意者。

8.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中，

所述電極端子包含：所述母材；以及第2薄膜，其形成于所述母材的表面之上，

所述第2薄膜是從由銅類的鍍膜、鎳類的鍍膜以及鋁類的涂膜構成的組中選擇的任意者。

9.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

所述半導體元件由從硅、碳化硅、氮化鎵所構成的組中選擇的任意者構成。