[發(fā)明專利]有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710523910.1
• 申請(qǐng)日: 2017-06-30
• 公開（公告）號(hào): CN109216565B
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李維維;劉勝芳;閔超;徐磊;高孝裕;黃秀頎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 王樂

本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。包括：空穴注入層，包括第一摻雜層和/或第二摻雜層；其中，第一摻雜層包括P?型摻雜物；第二摻雜層包括P?型摻雜物和空穴傳輸材料；空穴傳輸層，形成于空穴注入層上；以及電子阻擋層，形成于空穴傳輸層上；其中，電子阻擋層與空穴傳輸層的HOMO能級(jí)差小于或者等于0.2eV。第一摻雜層中的P?型摻雜物可以提高空穴注入量，從而提升量產(chǎn)器件的壽命；第二摻雜層中，通過調(diào)節(jié)P?型摻雜物的摻雜濃度，能夠控制空穴的注入量，從而調(diào)節(jié)電子和空穴的平衡性，進(jìn)而提升量產(chǎn)器件的壽命。同時(shí)，電子阻擋層與空穴傳輸層的HOMO能級(jí)差小于或者等于0.2eV，能夠降低有機(jī)電致發(fā)光器件的功耗，從而提升量產(chǎn)器件的壽命。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術(shù)

有機(jī)電致發(fā)光是指有機(jī)發(fā)光材料在電流或者電場(chǎng)的激發(fā)作用下發(fā)光的現(xiàn)象。有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED，Organic Light-Emitting Diode)具有主動(dòng)發(fā)光、發(fā)光效率高、反應(yīng)時(shí)間快(1μs量級(jí))、工作電壓低(3v～10v)、廣視角(＞175°以上)、面板厚度薄(＜1mm)、功耗低、工作溫度范圍廣(﹣40℃～﹢85℃)以及可以實(shí)現(xiàn)柔性顯示等諸多優(yōu)點(diǎn)，因此引起了廣泛的關(guān)注。

傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件導(dǎo)入量產(chǎn)后，壽命下降嚴(yán)重，LT97的壽命往往低于180小時(shí)，不利于應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要針對(duì)傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命下降嚴(yán)重問題，提供一種能夠提升壽命的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括：

空穴注入層，包括第一摻雜層或者第二摻雜層；其中，所述第一摻雜層包括P-型摻雜物；所述第二摻雜層包括P-型摻雜物和空穴傳輸材料；

空穴傳輸層，形成于所述空穴注入層上；

以及電子阻擋層，形成于所述空穴傳輸層上；其中，所述電子阻擋層與所述空穴傳輸層的HOMO能級(jí)差小于或者等于0.2eV。

上述有機(jī)電致發(fā)光器件中，第一摻雜層中的P-型摻雜物可以提高空穴注入量，從而提升量產(chǎn)器件的壽命；第二摻雜層中，通過調(diào)節(jié)P-型摻雜物的摻雜濃度，能夠控制空穴的注入量，從而調(diào)節(jié)電子和空穴的平衡性，進(jìn)而提升量產(chǎn)器件的壽命。同時(shí)，電子阻擋層與空穴傳輸層的HOMO能級(jí)差小于或者等于0.2eV，能夠降低有機(jī)電致發(fā)光器件的功耗，從而提升量產(chǎn)器件的壽命。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二摻雜層中，所述P-型摻雜物的摻雜濃度為3wt％～8wt％。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述空穴注入層包括所述第一摻雜層和形成于所述第一摻雜層上的所述第二摻雜層，所述第二摻雜層靠近所述空穴傳輸層。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述空穴注入層包括所述第二摻雜層和形成于所述第二摻雜層上的所述第一摻雜層，所述第一摻雜層靠近所述空穴傳輸層。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)所述空穴注入層由所述第一摻雜層組成時(shí)，所述第一摻雜層的厚度為5nm～20nm；

當(dāng)所述空穴注入層由所述第二摻雜層組成時(shí)，所述第二摻雜層的厚度為10nm～30nm；

當(dāng)所述空穴注入層包括所述第一摻雜層和所述第二摻雜層時(shí)，所述第一摻雜層的厚度為1nm～10nm，所述第二摻雜層的厚度為10nm～20nm。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述P-型摻雜物選自NDP-2和NDP-9中的至少一種。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述空穴傳輸材料和所述空穴傳輸層的材料獨(dú)立選自式(1)或式(2)所示結(jié)構(gòu)中的至少一種：

其中，式(1)中A和B獨(dú)立選自苯基、萘基或苯胺基；