[發(fā)明專利]基板處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710523906.5 | 申請日: | 2017-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN107564836B | 公開(公告)日: | 2021-01-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李知桓;崔重奉;許瓚寧;許弼覠;姜秉萬 | 申請(專利權(quán))人: | 細(xì)美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京市中倫律師事務(wù)所 11410 | 代理人: | 石寶忠 |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置,包括:
旋轉(zhuǎn)頭;
支撐軸,所述支撐軸與所述旋轉(zhuǎn)頭的下部連接以支撐所述旋轉(zhuǎn)頭;
支撐銷,所述支撐銷位于所述旋轉(zhuǎn)頭的上表面上以支撐所述基板的底表面,并且所述支撐銷在其內(nèi)部具有第一空間;
卡盤銷,所述卡盤銷位于所述旋轉(zhuǎn)頭中并且從所述旋轉(zhuǎn)頭的所述上表面向上突出以支撐所述基板的側(cè)表面,并且所述卡盤銷在其內(nèi)部具有第二空間;和
噴嘴構(gòu)件,所述噴嘴構(gòu)件被構(gòu)造成向位于所述旋轉(zhuǎn)頭上的所述基板供應(yīng)液體,
其中,在所述卡盤銷的上端形成有連通部,所述連通部被構(gòu)造成提供供施加到所述基板的液體流向外部的路徑,
其中,所述連通部具有從所述卡盤銷的上端向下凹進(jìn)的凹部的形狀,或者所述連通部是形成在所述卡盤銷的上端的孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其中在所述支撐銷的內(nèi)部形成的所述第一空間延伸到所述支撐銷的下端,并且在所述卡盤銷內(nèi)部形成的所述第二空間延伸到所述卡盤銷的下端。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其中在所述支撐銷的內(nèi)部形成的所述第一空間被抽真空,并且在所述卡盤銷的內(nèi)部形成的所述第二空間被抽真空。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,在所述卡盤銷的朝向與所述基板接觸的部分的部分處,所述卡盤銷的所述空間與外表面之間的厚度大于所述卡盤銷的與所述基板接觸的部分的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,在所述卡盤銷的朝向與所述基板接觸的部分的部分處,所述卡盤銷具有向外突出的加強(qiáng)部。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于細(xì)美事有限公司,未經(jīng)細(xì)美事有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710523906.5/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:基板處理裝置
- 下一篇:用于處理基板的裝置和方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





