[發明專利]一種靜電卡盤在審
| 申請號: | 201710523780.1 | 申請日: | 2016-08-02 |
| 公開(公告)號: | CN107301970A | 公開(公告)日: | 2017-10-27 |
| 發明(設計)人: | 林興;周建華;Z·J·葉;陳建;J·C·羅查-阿爾瓦雷斯 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司31100 | 代理人: | 侯穎媖 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 靜電 卡盤 | ||
1.一種靜電卡盤,包括:
主體,所述主體耦合到支撐桿,所述主體具有基板支撐表面;
肩部,所述肩部從所述主體的基板支撐表面突出,其中繞所述主體的周邊設置所述肩部;
內部電極,所述內部電極嵌入在所述主體內,所述內部電極從所述主體的中心徑向地延伸到鄰近所述肩部的區域;以及
外部電極,所述外部電極嵌入在所述主體內,所述外部電極徑向地設置在所述內部電極的外部,并且所述外部電極相對地設置在所述內部電極上方的一高度處。
2.如權利要求1所述的靜電卡盤,其特征在于,所述內部電極徑向地延伸至超出將設置在所述基板支撐表面上的基板的邊緣的區域。
3.如權利要求1所述的靜電卡盤,其特征在于,所述外部電極在所述肩部下方徑向地延伸。
4.如權利要求1所述的靜電卡盤,其特征在于,所述主體包括氮化鋁或氧化鋁。
5.如權利要求1所述的靜電卡盤,其特征在于,所述內部電極和外部電極連接至公共電源。
6.如權利要求1所述的靜電卡盤,其特征在于,所述公共電源是RF電源、DC電源或它們的組合。
7.如權利要求1所述的靜電卡盤,其特征在于,所述內部電極連接至第一電源,并且所述外部電極連接至第二電源,其中所述第一電源和所述第二電源中的每一個包括RF電源、DC電源或它們的組合。
8.如權利要求7所述的靜電卡盤,其特征在于,所述第一電源是DC電源,并且所述第二電源是RF電源。
9.如權利要求1所述的靜電卡盤,其特征在于,進一步包括:
一個或多個加熱元件,所述一個或多個加熱元件嵌入在所述主體中,其中沿著與所述內部電極相同的平面設置所述加熱元件。
10.一種靜電卡盤,包括:
主體,所述主體耦合到支撐桿,所述主體具有基板支撐表面;
多個突片,所述多個突片從所述主體的基板支撐表面突出,其中環繞所述主體的周邊設置所述多個突片;
內部電極,所述內部電極嵌入在所述主體內,所述內部電極從所述主體的中心徑向地延伸到鄰近所述突片的區域;以及
外部電極,所述外部電極嵌入在所述主體內,所述外部電極徑向地設置在所述內部電極的外部,其中所述外部電極從鄰近所述突片的區域徑向地延伸至所述主體的周邊,并且所述外部電極設置在所述內部電極上方。
11.如權利要求10所述的靜電卡盤,其特征在于,所述主體包括氮化鋁或氧化鋁。
12.如權利要求10所述的靜電卡盤,其特征在于,所述內部電極和外部電極連接至公共電源。
13.如權利要求12所述的靜電卡盤,其特征在于,所述公共電源是RF電源、DC電源或它們的組合。
14.如權利要求10所述的靜電卡盤,其特征在于,所述內部電極連接至第一電源,并且所述外部電極連接至第二電源,其中所述第一電源和所述第二電源中的每一個包括RF電源、DC電源或它們的組合。
15.如權利要求14所述的靜電卡盤,其特征在于,所述第一電源是DC電源,并且所述第二電源是RF電源。
16.如權利要求10所述的靜電卡盤,其特征在于,進一步包括:
邊緣環,所述邊緣環繞所述多個突片,其中所述邊緣環由具有與將設置在所述基板支撐表面上的基板的介電常數類似的介電常數的材料制成。
17.如權利要求16所述的靜電卡盤,其特征在于,所述邊緣環成形為梯形且具有相對于所述基板支撐表面成大約10°至90°的角的斜坡。
18.如權利要求16所述的靜電卡盤,其特征在于,所述邊緣環與所述多個突片之間的距離為大約0.060英寸至大約0.500英寸。
19.如權利要求16所述的靜電卡盤,其特征在于,所述多個突片與所述基板的邊緣之間的距離為大約0.040英寸至大約0.050英寸。
20.如權利要求16所述的靜電卡盤,其特征在于,所述邊緣環包括:石英、氮化鋁(AlN)、氧化鋁(Al2O3)、氮化硅(SiN)、含有釔的材料、氧化釔(Y2O3)、釔鋁石榴石(YAG)、氧化鈦(TiO)、氮化鈦(TiN)、碳化硅(SiC)、ASMY(氧化鋁硅鎂釔)、由Y4Al2O9(YAM)的化合物和Y2-xZrxO3的固體溶液(Y2O3-ZrO2固體溶液)構成的高性能材料(HPM)、氧化鎂(MgO)、氧化鋯(ZrO2)、碳化鈦(TiC)、碳化硼(BxCy)或氮化硼(BN)。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





