[發明專利]調節隔離度的方法、光纖隔離器以及光纖激光器有效
| 申請號: | 201710523692.1 | 申請日: | 2017-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN107238952B | 公開(公告)日: | 2018-10-19 |
| 發明(設計)人: | 曹際龍;張浩泰;符照森;蔣峰 | 申請(專利權)人: | 深圳市創鑫激光股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/09 | 分類號: | G02F1/09 |
| 代理公司: | 深圳市世聯合知識產權代理有限公司 44385 | 代理人: | 王鍇 |
| 地址: | 518103 廣東省深圳市寶安區*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 調節 隔離 方法 光纖 隔離器 以及 激光器 | ||
本發明實施例公開了調節隔離度的方法、光纖隔離器以及光纖激光器,涉及激光器技術領域。所述調節隔離度的方法應用于光纖隔離器,所述光纖隔離器的光束隔離結構中設置有磁旋光晶體和半波片;以角度θ表示所述磁旋光晶體的旋光角度,角度θ=K×λ×B×L;當所述磁旋光晶體將正向入射的e偏振光和o偏振光的偏振方向正向旋轉角度θ時,所述半波片將正向入射的所述e偏振光和所述o偏振光的偏振方向正向旋轉角度β;在角度θ發生變化后,轉動所述半波片,使得角度β等于角度θ,此時所述磁旋光晶體與所述半波片對反向光的隔離度最大。本發明實施例公開的技術方案有利于簡化光纖隔離器的結構,增加使用纖隔離器的便利性。
技術領域
本發明實施例公開的技術方案涉及激光器技術領域,尤其涉及調節隔離度的方法、光纖隔離器以及光纖激光器。
背景技術
目前,光纖激光器的功率越來越大,在軍事、醫療、工業制造等領域有著廣泛的應用。
由磁旋光晶體和磁體組成的隔離器芯對溫度比較敏感。當環境溫度改變時,所述磁旋光晶體的旋光角度也會發生變化,導致所述光纖隔離器對反向光的隔離度降低,并削弱了正向光的傳輸效率。
發明人在研究本發明的過程中發現,現有技術中調節隔離度的方法需要給光纖隔離器額外配置溫控裝置或者調節磁場磁場強度的裝置,造成光纖隔離器過于笨重使用不便。
發明內容
本發明公開的技術方案至少能夠解決以下技術問題:現有技術中調節隔離度的方法需要給光纖隔離器額外配置溫控裝置或者調節磁場磁場強度的裝置,造成光纖隔離器過于笨重使用不便。
本發明的一個或者多個實施例公開了一種調節隔離度的方法,應用于光纖隔離器,所述光纖隔離器的光束隔離結構中設置有磁旋光晶體和半波片,以角度θ表示所述磁旋光晶體的旋光角度,角度θ=K×λ×B×L,K為所述磁旋光晶體的溫度函數,λ為入射至所述磁旋光晶體的e偏振光或o偏振光的波長,B為所述磁旋光晶體所處磁場的磁場強度,L為所述磁旋光晶體在光路方向的長度。以角度β表示所述半波片的旋光角度,轉動所述半波片時角度β將改變。
所述磁旋光晶體與所述半波片之間滿足以下條件:當所述磁旋光晶體將正向入射的e偏振光和o偏振光的偏振方向正向旋轉角度θ時,所述半波片將正向入射的所述e偏振光和所述o偏振光的偏振方向正向旋轉角度β;當所述半波片將反向入射的e偏振光和o偏振光的偏振方向反向旋轉角度β時,所述磁旋光晶體將反向入射的所述e偏振光和所述o偏振光的偏振方向正向旋轉角度θ。
在角度θ發生變化后,轉動所述半波片,使得角度β等于角度θ,此時所述磁旋光晶體與所述半波片對反向光的隔離度最大。
在本發明的一個或者多個實施例中,當角度θ減小Ф度,所述光纖隔離器的隔離度降低時,反向轉動所述半波片Ф/2度以增加所述光纖隔離器的隔離度。
當角度θ增大Ф度,所述光纖隔離器的隔離度降低時,正向轉動所述半波片Ф/2度以增加所述光纖隔離器的隔離度。
在本發明的一個或者多個實施例中,當所述磁旋光晶體的溫度升高x攝氏度,角度θ減小Ф度,所述光纖隔離器的隔離度降低時,反向轉動所述半波片Ф/2度以增加所述光纖隔離器的隔離度。
當所述磁旋光晶體的溫度降低x攝氏度,角度θ增大Ф度,所述光纖隔離器的隔離度降低時,正向轉動所述半波片Ф/2度以增加所述光纖隔離器的隔離度。
在本發明的一個或者多個實施例中,獲取所述磁旋光晶體的溫度在0℃~60℃時,所述磁旋光晶體的角度θ的變化曲線;根據所述變化曲線,獲取所述磁旋光晶體在0℃~60℃內多個溫度對應的角度θ;計算相鄰兩個溫度之間Ф/2的值。
在本發明的一個或者多個實施例中,在所述光纖隔離器的工作過程中獲取所述磁旋光晶體所處環境的溫度,以所述磁旋光晶體所處環境的溫度代替所述磁旋光晶體的溫度。
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