[發(fā)明專利]具有樞轉(zhuǎn)支座的微型器件轉(zhuǎn)移系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710523565.1 | 申請(qǐng)日： | 2013-12-09 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107195558B | 公開（公告）日： | 2019-06-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | D·格爾達(dá);J·A·希金森;A·比布爾 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 蘋果公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/60 | 分類號(hào)： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 王茂華;呂世磊 |
| 地址： | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 支座 微型 器件 轉(zhuǎn)移 系統(tǒng) | ||
1.一種微型拾取陣列支座，包括：
樞轉(zhuǎn)平臺(tái)；
基部，所述基部側(cè)向地圍繞所述樞轉(zhuǎn)平臺(tái)，其中所述樞轉(zhuǎn)平臺(tái)相對(duì)于所述基部可移動(dòng)；
橫梁，所述橫梁通過內(nèi)樞軸與所述樞轉(zhuǎn)平臺(tái)物理地耦接并且通過外樞軸與所述基部物理地耦接；
電壓源觸件，所述電壓源觸件位于所述基部上；
靜電電壓源觸件，所述靜電電壓源觸件位于所述樞轉(zhuǎn)平臺(tái)上以轉(zhuǎn)移操作電壓；
源跡線，所述源跡線將所述電壓源觸件連接至所述靜電電壓源觸件；
夾持觸件，所述夾持觸件位于所述基部上；
夾持電極，所述夾持電極位于所述樞轉(zhuǎn)平臺(tái)上；以及
夾持跡線，所述夾持跡線將所述夾持觸件連接至所述夾持電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型拾取陣列支座，還包括耦接至所述電壓源觸件和所述夾持觸件的帶纜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型拾取陣列支座，其中所述外樞軸位于基部邊緣上并且所述內(nèi)樞軸位于樞轉(zhuǎn)平臺(tái)邊緣上，并且所述基部邊緣正交于所述樞轉(zhuǎn)平臺(tái)邊緣。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微型拾取陣列支座，還包括第二橫梁，所述第二橫梁通過位于第二基部邊緣上的第二外樞軸與所述基部耦接，并且通過位于第二樞轉(zhuǎn)平臺(tái)邊緣上的第二內(nèi)樞軸與所述樞轉(zhuǎn)平臺(tái)耦接。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微型拾取陣列支座，其中所述橫梁在第二內(nèi)樞軸處與所述樞轉(zhuǎn)平臺(tái)耦接并且在第二外樞軸處與所述基部耦接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微型拾取陣列支座，其中所述內(nèi)樞軸從所述第二內(nèi)樞軸跨過所述樞轉(zhuǎn)平臺(tái)，并且所述外樞軸從所述第二外樞軸跨過所述樞轉(zhuǎn)平臺(tái)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型拾取陣列支座，其中所述內(nèi)樞軸和所述外樞軸均包括硅。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型拾取陣列支座，還包括：
第二電壓源觸件，所述第二電壓源觸件位于所述基部上；
第二靜電電壓源觸件，所述第二靜電電壓源觸件位于所述樞轉(zhuǎn)平臺(tái)上以轉(zhuǎn)移第二操作電壓；以及
第二源跡線，所述第二源跡線將所述第二電壓源觸件連接至所述第二靜電電壓源觸件。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型拾取陣列支座，還包括：
第二夾持觸件，所述第二夾持觸件位于所述基部上；
第二夾持電極，所述第二夾持電極位于所述樞轉(zhuǎn)平臺(tái)上；以及
第二夾持跡線，所述第二夾持跡線將所述第二夾持觸件連接至所述第二夾持電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型拾取陣列支座，還包括：
第二電壓源觸件，所述第二電壓源觸件位于所述基部上；
第二靜電電壓源觸件，所述第二靜電電壓源觸件位于所述樞轉(zhuǎn)平臺(tái)上以轉(zhuǎn)移第二操作電壓；
第二源跡線，所述第二源跡線將所述第二電壓源觸件連接至所述第二靜電電壓源觸件；
第二夾持觸件，所述第二夾持觸件位于所述基部上；
第二夾持電極，所述第二夾持電極位于所述樞轉(zhuǎn)平臺(tái)上；以及
第二夾持跡線，所述第二夾持跡線將所述第二夾持觸件連接至所述第二夾持電極。
11.一種微型拾取陣列支座，包括：
樞轉(zhuǎn)平臺(tái)；
基部，所述基部側(cè)向地圍繞所述樞轉(zhuǎn)平臺(tái)，其中所述樞轉(zhuǎn)平臺(tái)相對(duì)于所述基部可移動(dòng)；
多個(gè)橫梁，所述多個(gè)橫梁與所述樞轉(zhuǎn)平臺(tái)以及所述基部物理地耦接；
成對(duì)的電壓源觸件，所述成對(duì)的電壓源觸件位于所述基部上；
成對(duì)的靜電電壓源觸件，所述成對(duì)的靜電電壓源觸件位于所述樞轉(zhuǎn)平臺(tái)上以轉(zhuǎn)移操作電壓；
成對(duì)的源跡線，所述成對(duì)的源跡線將所述成對(duì)的電壓源觸件連接至所述成對(duì)的靜電電壓源觸件；
成對(duì)的夾持觸件，所述成對(duì)的夾持觸件位于所述基部上；
成對(duì)的夾持電極，所述成對(duì)的夾持電極位于所述樞轉(zhuǎn)平臺(tái)上；以及
成對(duì)的夾持跡線，所述成對(duì)的夾持跡線將所述成對(duì)的夾持觸件連接至所述成對(duì)的夾持電極。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
