[發(fā)明專(zhuān)利]高導(dǎo)電性二硫化鉬納米薄膜及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710523491.1
• 申請(qǐng)日: 2017-06-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107302050B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐景坤;李霞;蔣豐興;劉聰聰
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 江西科技師范大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L35/16
• 分類(lèi)號(hào): H01L35/16;H01L35/14;H01L35/34;B82Y30/00
• 代理公司: 11469 北京恩赫律師事務(wù)所
• 代理人: 趙文成

1.一種高導(dǎo)電性二硫化鉬納米薄膜，其特征在于，所述高導(dǎo)電性二硫化鉬納米薄膜由二硫化鉬及氯化銅構(gòu)成，所述氯化銅與二硫化鉬的摩爾比為0.01-0.77:1；

所述高導(dǎo)電性二硫化鉬納米薄膜的制備方法包括以下步驟：

步驟1：制備二硫化鉬溶液，利用鋰離子嵌入的方法制備單層二硫化鉬，得到帶有負(fù)電的二硫化鉬溶液；

步驟2：取步驟1所制備的二硫化鉬溶液，稀釋至一定濃度，真空抽濾成膜；

步驟3：當(dāng)膜表面沒(méi)有二硫化鉬溶液時(shí)，立即繼續(xù)加入氯化銅溶液，利用剝離后的二硫化鉬帶負(fù)電、帶有缺陷的特性，吸附銅離子，緩慢抽濾；

步驟4：將抽干的薄膜取下，用去離子水沖洗，放入烘箱真空干燥；

所述步驟1中，二硫化鉬溶液的制備方法，包括：

步驟11：采用有機(jī)溶劑溶解二硫化鉬，密封，抽真空；

步驟12：向步驟11中加入保護(hù)氣體，加入正丁基鋰反應(yīng)48h、離心處理；

步驟13：真空干燥步驟12所得樣品，配制一定濃度的溶液超聲處理；

步驟14：離心，取上層溶液，測(cè)定濃度備用。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高導(dǎo)電性二硫化鉬納米薄膜，其特征在于，所述氯化銅與二硫化鉬的摩爾比0.01-0.1:1。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高導(dǎo)電性二硫化鉬納米薄膜，其特征在于，所述納米薄膜的電導(dǎo)率為60-101S/cm。

4.權(quán)利要求1-3任一所述的高導(dǎo)電性二硫化鉬納米薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：制備二硫化鉬溶液；

步驟2：取步驟1所制備的二硫化鉬溶液，稀釋至一定濃度，真空抽濾成膜；

步驟3：當(dāng)膜表面沒(méi)有二硫化鉬溶液時(shí)，立即繼續(xù)加入氯化銅溶液，緩慢抽濾；

步驟4：將抽干的薄膜取下，用去離子水沖洗，放入烘箱真空干燥；

所述步驟1中，二硫化鉬溶液的制備方法，包括：

步驟11：采用有機(jī)溶劑溶解二硫化鉬，密封，抽真空；

步驟12：向步驟11中加入保護(hù)氣體，加入正丁基鋰反應(yīng)48h，離心處理得到Li-MoS₂；

步驟13：真空干燥步驟12所得樣品，配成一定濃度的溶液超聲處理；

步驟14：離心，取上層溶液，測(cè)定濃度備用。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高導(dǎo)電性二硫化鉬納米薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟11中，有機(jī)溶劑為超干正己烷；所述有機(jī)溶劑與二硫化鉬的質(zhì)量比為3-15:0.1-1。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高導(dǎo)電性二硫化鉬納米薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟12中，保護(hù)氣體為氮?dú)猓』嚺c二硫化鉬的摩爾比為1：1.7-2.56，在3500rpm下離心10min。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高導(dǎo)電性二硫化鉬納米薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟13中，配置溶液濃度為1.5mg/ml，超聲處理的時(shí)間為1h；所述步驟14中，8000rpm條件下離心30min。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高導(dǎo)電性二硫化鉬納米薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟4中，干燥的溫度為45-50℃。