[發明專利]雙偏振陣列波導光柵

在審

• 申請號: 201710522289.7
• 申請日: 2017-06-30
• 公開（公告）號: CN107765369A
• 公開（公告）日: 2018-03-06
• 發明（設計）人: B.豐德爾;S.帕塔克
• 申請（專利權）人: 朗美通經營有限責任公司
• 主分類號: G02B6/293
• 分類號: G02B6/293
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 程馳

1.一種1×N多路分用器，包括：

輸入板，用以將包括一個或多個光波長的輸入束在波導陣列的多個波導之間分配，

所述一個或多個光波長中的光波長包括橫向電(TE)偏振光和橫向磁(TM)偏振光；

波導陣列，用以將多個束經由所述多個波導傳播到輸出板，

所述多個束由在所述輸入板內的輸入束到所述多個波導的分配而形成；

輸出板，用以導致基于在所述輸出板內的所述多個束之間的干涉形成一組N個TE偏振束和一組N個TM偏振束，

所述一組N個TE偏振束中的TE偏振束包括所述光波長的TE偏振光，以及

所述一組N個TM偏振束中的TM偏振束包括所述光波長的TM偏振光，以及

耦合至所述輸出板的一組N個TE輸出端口和一組N個輸出端口，

所述一組N個TE輸出端口中的TE輸出端口用以接收所述一組N個TE偏振束中的TE偏振束，以及

所述一組N個TM輸出端口中的TM輸出端口用以接收所述一組N個TM偏振束中的TM偏振束。

2.根據權利要求1所述的1×N多路分用器，其中，所述輸入板、所述波導陣列、所述輸出板、所述一組N個TE輸出端口、以及所述一組N個TM輸出端口布置在晶片上的多個芯片中的單一芯片上。

3.根據權利要求1所述的1×N多路分用器，其中，所述輸入板、所述波導陣列、所述輸出板、所述一組N個TE輸出端口、以及所述一組N個TM輸出端口用硅形成。

4.根據權利要求1所述的1×N多路分用器，其中，在所述輸出板的輸出表面處，所述一組N個TE輸出端口中的第一輸出端口定位在所述一組N個TM輸出端口中的第二輸出端口和所述一組N個TM輸出端口中的第三輸出端口之間，

所述第一輸出端口關聯于輸出所述一組N個TE偏振束中的特定TE偏振束，

所述第二輸出端口關聯于輸出所述一組N個TM偏振束中的第一TM偏振束，

所述第三輸出端口關聯于輸出所述一組N個TM偏振束中的第二TM偏振束。

5.根據權利要求1所述的1×N多路分用器，其中，關聯于所述一組N個TE偏振束的第一輸出間距與關聯于所述一組N個TM偏振束的第二輸出間距不同。

6.根據權利要求1所述的1×N多路分用器，其中，用于所述一組N個TE輸出端口的輸出間距在0.5微米至10微米的范圍中，且用于所述一組N個TM輸出端口的輸出間距在0.5微米至10微米的范圍中。

7.根據權利要求1所述的1×N多路分用器，其中，關聯于所述一組N個TE偏振束的第一自由光譜范圍與關聯于所述一組N個TM偏振束的第二自由光譜范圍不同。

8.根據權利要求1所述的1×N多路分用器，其中，所述一組N個TE輸出端口中的第一輸出端口和所述一組N個TM輸出端口中的第二輸出端口之間的距離在2微米至100微米的范圍內，

所述第一輸出端口對應于所述一組N個TE偏振束中的特定TE偏振束，

所述第二輸出端口對應于所述一組N個TM偏振束中的特定TM偏振束，

所述特定TE偏振束和所述特定TM偏振束包括所述一個或多個光波長中的同一光波長。

9.根據權利要求1所述的1×N多路分用器，其中，在所述輸出板中在所述一組N個TE偏振束和所述一組N個TM偏振束之間的角色散差異提供了在所述一組N個TE輸出端口和所述一組N個TM輸出端口之間的間隙。

10.根據權利要求1所述的1×N多路分用器，還包括：

光檢測器，用以組合所述一組N個TE偏振束中的特定TE偏振束和所述一組N個TM偏振束中的特定TM偏振束，以形成組合束，

所述特定TE偏振束和所述特定TM偏振束包括所述一個或多個光波長中的同一光波長。

11.根據權利要求1所述的1×N多路分用器，其中，所述波導陣列用以：

將所述多個束發射到所述輸出板中，以在所述一組N個TE輸出端口和所述一組N個TM輸出端口處形成干涉圖樣，

所述一組N個TE輸出端口在所述干涉圖樣的TE最大值所處的位置處耦合至所述輸出板，以及、

所述一組N個TM輸出端口在所述干涉圖樣的TM最大值所處的位置處耦合至所述輸出板。