[發明專利]一種鋁合金及其制備方法及手機殼體

有效

• 申請號: 201710521855.2
• 申請日: 2017-06-30
• 公開（公告）號: CN109208055B
• 公開（公告）日: 2021-01-01
• 發明（設計）人: 石峰云;王鈺;廖重重;陳梁
• 申請（專利權）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: C25D11/12
• 分類號: C25D11/12;H04M1/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種鋁合金及其制備方法及手機殼體。本發明提供了一種鋁合金的表面處理方法，該方法包括將鋁合金放置在陽極氧化液中進行第一次陽極氧化，接著在相同的陽極氧化液中進行第二次陽極氧化，所述第一次陽極氧化的電壓至少比第二次陽極氧化的電壓高8V。用本發明的鋁合金的表面處理方法，可以得到表面光滑，具有陶瓷質感的外觀效果，鋁合金的耐腐蝕性能好且可以在低溫低壓下進行，能耗少，利于大規模生產。

技術領域

本發明屬于電子產品領域，主要涉及一種鋁合金及其制備方法及手機殼體。

背景技術

隨著消費水平的提高，消費者對電子產品的要求不僅注重其質量，對其外觀表面的質感及觸感也越來越關注，具有特殊質感的電子產品在市場上非常具有競爭力。目前，智能手機作為一種常用的電子設備，已經得到了廣泛的普及，隨著 科技水平的不斷提高及人們對智能手機質量要求的不斷提高，智能手機也在不斷的交替更新。各大公司正積極研發獨具特色的數碼產品結構材料以搶占商業賣點，例如開發陶瓷質感的手機殼體。

金屬材料經過瓷質氧化可以得到陶瓷質感，如現有技術中鋁合金的瓷質陽極氧化主要以草酸鈦鉀為主鹽，草酸、硼酸及檸檬酸等為添加劑的電解液，在進行100V左右的高電壓陽極氧化30-60min。而現有的方案，槽液成分復雜，成本高，維護困難，而且采用的是高電壓、高溫度的氧化，耗能大，不利于大規模生產。

發明內容

本發明的目的在于克服現有的鋁合金進行瓷質氧化需要在高電壓高溫度進行，耗能大，不利于大規模生產的問題，從而提供一種可以在低電壓和低溫先進行的鋁合金瓷質氧化的方法，及由該方法制備得到的鋁合金，和由該鋁合金制備得到的電子產品殼體。

根據本發明的第一個方面提供了一種鋁合金的表面處理方法，將鋁合金放置在陽極氧化液中進行第一次陽極氧化，接著在相同的陽極氧化液中進行第二次陽極氧化，所述第一次陽極氧化的電壓至少比第二次陽極氧化的電壓高8V。根據本發明的第二個方面提供了一種由上述方法制備得到的鋁合金。

根據本發明的第三個方面提供了由上述鋁合金制備得到的電子產品殼體。

本發明的鋁合金的表面處理方法，可以在低溫低壓下在鋁合金表面形成瓷質膜層，能耗低，利于大規模生產，且該瓷質膜層的耐腐蝕性能好。

具體實施方式

本發明提供了一種鋁合金的表面處理方法，將鋁合金放置在陽極氧化液中進行第一次陽極氧化，接著在相同的陽極氧化液中進行第二次陽極氧化，所述第一次陽極氧化的電壓至少比第二次陽極氧化的電壓高8V。

本發明的發明人意外的發現，先將鋁合金進在高電壓下進行陽極氧化，然后在低電壓下進行陽極氧化，并且控制高電壓比低電壓至少高8V，可以使兩段電壓形成的氧化膜孔徑不一樣，可見光入射到鋁合金的表面時會因為氧化膜孔徑的不同造成光散射，這種光散射給人在視覺造成白色不透明效果，染色后底透白，視覺上有陶瓷效果。

根據本發明所提供的鋁合金的表面處理方法，為了進一步使得到的瓷質膜層的陶瓷質感，優選地，所述第一次陽極氧化的電壓比第二次陽極氧化的電壓高8-15V。

根據本發明所提供的鋁合金的表面處理方法，優選地，所述陽極氧化液包括硫酸和草酸，所述硫酸濃度為60-100g/l，所述草酸濃度為0-50g/l。進一步優選，所述硫酸濃度為60-80g/l，所述草酸濃度為20-40g/l。低濃度的硫酸添加少量的草酸，可以減緩氧化時溶解氧化膜的速度，使得在低電壓短氧化時，高電壓段形成的膜層不會被快速溶解掉，此外草酸的加入還可以提高氧化溫度。

根據本發明所提供的鋁合金的表面處理方法，優選地，所述第一次陽極氧化條件為：電壓為16-26V，時間為10-40min，溫度為5-25℃；所述第二次陽極氧化的條件為：電壓為8-12V，時間為40-100min，溫度為5-25℃。